NZXT C650 BRONZE特色：
●14公分短機身設計，80PLUS銅牌認證轉換效率
●半模組化設計，直出線組採用黑色編織網包覆，模組化線組採用帶狀線路
●處理器12V供電提供2組EPS 4+4P接頭，支援Intel/AMD最新處理器/主機板平台
●採用APFC主動功率因數修正及雙晶順向架構，單組12V輸出，搭配3.3V/5V DC-DC轉換設計，使12V可用功率最大化，並改善各輸出電壓交叉調整率
●靜音12公分風扇以溫控方式運轉，兼顧靜音及散熱
●提供5年產品保固
●提供輸出電壓/電流監控完整保護
NZXT C650 BRONZE輸出接頭數量：
ATX 20+4P：1個
EPS 4+4P：2個
PCIE 6+2P：4個
SATA：6個
大4P：3個
▼外盒正面有產品名稱及外觀圖
▼外盒背面有中文產品資訊貼紙、商標、產品名稱、3種語言的產品特色/尺寸/重量/效率認證/線組數量/保固、輸入/輸出規格表、80PLUS銅牌認證標章
▼外盒上下側面有商標、產品名稱、條碼、安規認證標章、廠商資訊
▼外盒左右側面有11種語言特色說明
▼包裝內容有包在印上商標的白色不織布套內的電源本體、模組化線組、3×0.75mm² 7A交流電源線、固定螺絲、電子說明書連結QR碼紫色紙卡
▼本體尺寸為150mm(W)x86mm(H)x141mm(D)
▼本體外殼側面有商標及型號印刷
▼直接在外殼沖壓加工圓孔風扇護網
▼後方出風口處設有電源總開關及交流輸入插座
▼電源本體背面外殼凹陷處貼上標籤，標籤印上商標、型號、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、安規/BSMI認證標章、80PLUS銅牌認證標章、警告訊息、產地、條碼
▼本體直出線旁的模組化線組輸出插座有標示，左上方印上”請勿使用其他電源供應器的模組化線組”英文警語
▼一組主機板電源黑色編織網包覆直出線路，提供1個ATX 20+4P接頭，長度為54公分
▼一組處理器電源黑色編織網包覆直出線路，提供1個EPS 4+4P接頭，長度為64公分。一組處理器電源黑色帶狀模組化線路，提供1個EPS 4+4P接頭，長度為65公分。總共提供2個EPS 4+4P接頭
▼一組雙頭顯示卡電源黑色編織網包覆直出線路，每組提供2個PCIE 6+2P接頭，至第一個接頭線路長度為55公分，接頭間線路長度為15公分。一組雙頭顯示卡電源黑色帶狀模組化線路，每組提供2個PCIE 6+2P接頭，至第一個接頭線路長度為55公分，接頭間線路長度為15公分。總共提供4個PCIE 6+2P接頭
▼一組SATA接頭黑色帶狀模組化線路，提供2個直式SATA接頭，至第一個接頭線路長度為50公分，接頭間線路長度為15公分。一組SATA接頭黑色帶狀模組化線路，提供4個直式SATA接頭，至第一個接頭線路長度為50公分，接頭間線路長度為15公分。總共提供6個SATA接頭
▼一組大4P接頭黑色帶狀模組化線路，提供3個省力易拔大4P接頭，至第一個接頭線路長度為50公分，接頭間線路長度為14.5公分。總共提供3個大4P接頭，未提供小4P接頭或轉接線
▼將所有模組化線路插上的樣子，1個CPU/PCI-E模組化插座未使用
▼NZXT C650 BRONZE內部結構及使用元件說明簡表
▼NZXT C650 BRONZE為CWT代工，採APFC、雙晶順向、二次側SBD整流輸出12V，並經由DC-DC轉換3.3V/5V
▼風扇採用Huizhou Flyalpine DF1202512RFHN 12公分 12V/0.32A，有設置氣流導風片
▼電路板背面，焊點整體做工良好
▼交流輸入插座接點焊上2個Y電容(CY1/CY2)及1個X電容(CX1)，所有焊點均未包覆套管，僅磁芯包覆絕緣套管
▼電路板交流輸入端EMI濾波電路有2個共模電感(CM1/CM2)，1個X電容(CX2)，2個Y電容(CY3/CY4)，直立安裝的保險絲(右上)及突波吸收器(左)都有包覆套管
▼EMI電路背後有Power Integrations CAP200DG X電容放電IC
▼單顆橋式整流安裝在散熱片上，APFC電感採用封閉式磁芯，外面包覆套管的NTC熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流
▼APFC電容採用Nippon Chemi-con 400V 390µF KMW系列105度電解電容
▼固定在散熱片上的APFC及一次側MOSFET，APFC使用2顆GREATPOWER GP18S50G全絕緣封裝MOSFET及1顆ON SEMI FFSP0665A二極體，一次側使用2顆Perfect Intelligent Power PTA20N50A全絕緣封裝MOSFET
▼APFC及一次側雙晶順向電路控制用Champion CM6800TX及Champion CM03X安裝在主電路板背面
▼輔助電源電路一次側採用Power Integrations TNY287PG整合電源IC，輔助電源電路變壓器外包覆綠色聚酯薄膜膠帶
▼主變壓器外包覆綠色聚酯薄膜膠帶
▼面向主變壓器的二次側散熱片上面有1顆PFC Device PFR30L60CT二極體，是負責整流輸出12V的元件之一
▼二次側散熱片另一面有3顆PFC Device PFR30L60CT二極體，是負責整流輸出12V的另外3顆元件。中間環狀12V/-12V輸出電感下面有Elite電解電容
▼3.3V/5V DC-DC子板正面配置環狀電感及Elite固態電容
▼3.3V/5V DC-DC子板背面，上方4顆UBIQ QM3016D MOSFET分成2組，每組採1HS+1LS配置。下方有3.3V/5V DC-DC控制用µPI µP3861P
▼IN1S429I-DCG電源管理IC，提供輸出過電壓/欠電壓/過電流保護、接受PS-ON信號控制及產生Power Good信號
▼電源供應器輸出線直接焊在主電路板上，線路末端處使用不同顏色的套管包覆
▼模組化輸出插座電路板正面設置3顆APAQ固態電容提升輸出濾波效果
接下來就是上機測試
測試文閱讀方式請參照此篇：電源測試文閱讀小指南
▼NZXT C650 BRONZE於20%/50%/100%下效率分別為88.56%/88.66%/84.46%，符合80PLUS銅牌認證要求20%輸出82%效率、50%輸出85%效率、100%輸出82%效率
從電源本體及線組插頭處測試的電壓差異，會對效率產生0.01%至0.08%的影響
▼NZXT C650 BRONZE於10%、20%、50%、100%的交流輸入波形(黃色-電壓，紅色-電流，綠色-功率)。50%輸出下功率因數為0.9872，符合80PLUS銅牌認證要求50%輸出下功率因數需大於0.9的要求
▼綜合輸出負載測試，輸出56%時3.3V/5V電流達13A以後就不再往上加，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼綜合輸出8%至101%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為20.5mV
▼綜合輸出8%至101%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為18.6mV
▼綜合輸出8%至101%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為25mV
▼偏載測試，這時12V維持空載，分別測試3.3V滿載(CL1)、5V滿載(CL2)、3.3V/5V滿載(CL3)的3.3V/5V/12V電壓變化，並無出現超出±5%範圍情形(3.3V：3.135V-3.465V，5V：4.75V-5.25V，12V：11.4V-12.6V)
▼純12V輸出負載測試，這時3.3V/5V維持空載，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼純12V輸出6%至101%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為8.3mV
▼純12V輸出6%至101%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為7.9mV
▼純12V輸出6%至101%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為25mV
▼電源PS-ON信號啟動後直接3.3V/13A、5V/13A、12V/45A滿載輸出下各電壓上升時間圖，從12V開始上升處當成起點(0.000s)時，12V上升時間為27ms，5V與3.3V上升時間為6ms
▼3.3V/13A、5V/13A、12V/45A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖，從交流中斷處當成起點(0.000s)時，12V於15ms降至11.4V(圖片中資料點標籤)
以下波形圖，CH1黃色波形為動態負載電流變化波形，CH2藍色波形為12V電壓波形，CH3紫色波形為5V電壓波形，CH4綠色波形為3.3V電壓波形
▼當輸出無負載時，12V/3.3V無明顯漣波，5V有間歇產生的漣波
▼於3.3V/13A、5V/13A、12V/45A(綜合全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為30.8mV/27.2mV/17.2mV，高頻漣波分別為22mV/26.4mV/16.8mV
▼於12V/54A(純12V全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為34.4mV/15.6mV/15.2mV，高頻漣波分別為26.8mV/16.4mV/16.8mV
▼3.3V(上)啟動動態負載，變動範圍5A至15A，維持時間500微秒，最大變動幅度618mV，同時造成5V產生286mV、12V產生344mV的變動。5V(下)啟動動態負載，變動範圍5A至15A，維持時間500微秒，最大變動幅度為586mV，同時造成3.3V產生268mV、12V產生260mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度為532mV，同時造成3.3V產生118mV、5V產生98mV的變動
▼電源供應器滿載輸出下內部(上圖)及橋式整流/APFC電感/NTC(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼電源供應器滿載輸出下APFC MOSFET/一次側MOSFET(上圖)及主變壓器/二次側/12V輸出電感(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
本體及內部結構心得小結：
◆採用半模組化設計，直出線組(ATX 20+4P/EPS 4+4P/PCIE 6+2P)採用黑色編織網包覆，模組化線組(EPS 4+4P/PCIE 6+2P/SATA/大4P)採用帶狀線路。提供2個EPS 4+4P，4個PCIE 6+2P，6個直式SATA，3個省力易拔大4P。未提供小4P接頭或轉接線
◆直接在外殼沖壓圓孔風扇護網
◆交流輸入插座接點直接安裝X/Y電容，交流輸入插座及總開關焊點未包覆套管，磁芯、保險絲、突波吸收器有包覆套管
◆電路板背面焊點整體做工良好
◆採用APFC、雙晶順向架構、SBD整流輸出12V，並透過DC-DC轉換3.3V/5V
◆APFC MOSFET使用GREATPOWER，APFC二極體使用ON SEMI，一次側MOSFET使用Perfect Intelligent Power，二次側整流二極體使用PFC Device，DC-DC MOSFET使用UBIQ。APFC/一次側MOSFET使用全絕緣封裝
◆僅APFC電容採用日系品牌
◆二次側電源管理IC可偵測輸出電壓與電流是否在正常範圍
◆主電路板線組輸出端有包覆套管，模組化插座板與主電路板透過線組連接
各項測試結果簡單總結：
◆NZXT C650 BRONZE於20%/50%/100%下效率分別為88.56%/88.66%/84.46%，符合80PLUS銅牌認證要求20%輸出82%效率、50%輸出85%效率、100%輸出82%效率
◆NZXT C650 BRONZE的功率因數修正，滿足80PLUS銅牌認證要求輸出50%下功率因數需大於0.9
◆偏載測試，12V維持空載，測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化，均無出現超出±5%範圍情形
◆電源啟動至綜合全負載輸出狀態，12V上升時間為27ms，3.3V/5V上升時間為6ms
◆綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷，12V於15ms後降至11.4V
◆當輸出無負載時，12V/3.3V無明顯漣波，5V有間歇產生的漣波；於綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為30.8mV/27.2mV/17.2mV；於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為34.4mV/15.6mV/15.2mV
◆3.3V/5V動態負載測試，變動範圍5A至15A，維持時間500微秒，最大變動幅度分別為618mV/586mV
◆12V動態負載測試，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度為532mV
◆熱機下3.3V過電流截止點在31A(155%)，5V過電流截止點在32A(160%)，12V過電流截止點在59A(109%)
報告完畢，謝謝收看
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