特色:
●獨家首創防蟲設計,電路板背面配置防蟲蓋板,一次側元件接腳配置防蟲絕緣護套
●通過80PLUS金牌認證,降低廢熱產生,節省電能消耗及電費支出
●14公分短機身,搭配黑色直出線組,提供2個EPS 4+4P接頭,支援Intel/AMD處理器及主機板平台
●諧振轉換搭配12V同步整流及3.3V/5V/-12V DC-DC轉換設計,單路12V輸出,使12V可用功率最大化,改善各輸出電壓交叉調整率
●內部12公分溫控散熱風扇具備風扇停轉功能,於低負荷下風扇將停止轉動,在散熱效能與靜音中取得平衡
●多重電路保護設計
●內部採用長效固態電容及全日系電解電容,提供十年保固維修

官方網站:https://www.accuwitt.com

官方LINE@:@accuwitt

https://page.line.me/accuwitt

accuwitt Grand Rigid GT 650GD 650W輸出接頭數量:
ATX20+4P:1個
EPS 4+4P:2個
PCIE 6+2P:4個
SATA:8個
大4P:2個

▼外盒正面有商標、”Bug Buster”防蟲圖示、中英文”獨家首創防蟲高效電源”字樣、產品名稱、80PLUS金牌認證、10年保固圖示、產品特色

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▼外盒背面有商標、產品名稱、輸入/輸出規格表、接頭外觀/數量/線材長度配置圖、安規認證

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▼外盒上側面有商標、產品名稱、中英文九大特色說明、80PLUS金牌認證、10年保固圖示、”Bug Buster”防蟲圖示。外盒下側面有商標、產品名稱、條碼、授權製造商資訊、代理商資訊、官方網站連結QR碼、官方Line連結QR碼

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▼外盒左/右側面有商標、產品名稱、80PLUS金牌認證、10年保固圖示、”Bug Buster”防蟲圖示

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▼於外盒開啟處的內面印上商標

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▼包裝內容有中文使用手冊、英文使用手冊、電源本體、固定螺絲、魔鬼氈整線帶、交流電源線

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▼本體尺寸為150x86x140mm

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▼本體兩側貼上亮面貼紙,上面印上商標、”Bug Buster”防蟲圖示、中英文”獨家首創防蟲高效電源”字樣、產品名稱、80PLUS金牌認證、10年保固圖示、官方網址

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▼風扇護網直接沖壓在外殼上,中心處有商標銘牌

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▼本體背面的標籤有商標、產品名稱、80PLUS金牌認證、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、型號、製造廠商資訊、產地、安規認證、中英文警告訊息、條碼

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▼本體出風口處交流輸入插座旁有商標/標語及”Bug Buster”防蟲圖示

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▼直出線組開口右下方有5個長條形通風開口

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▼一組主機板電源黑色直出線路,提供1個ATX24P接頭,20AWG線路長度為60公分

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▼一組處理器電源黑色直出帶狀線路,提供1個EPS 8P接頭及1個EPS 4+4P接頭,至EPS 8P接頭20AWG線路長度為64公分,EPS 8P至EPS 4+4P接頭間20AWG線路長度為15公分

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▼兩組顯示卡電源黑色直出帶狀線路,提供4個PCIE 6+2P接頭,至第一個接頭20AWG線路長度為61公分,接頭間20AWG線路長度為15公分

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▼兩組SATA/大4P黑色直出帶狀線路,提供8個直角SATA接頭及2個直式大4P接頭,至第一個接頭20AWG線路長度為45公分,接頭間20AWG線路長度為11.5公分,其中一條的最後兩段線路較長(紅色箭頭),長度為15公分。未提供小4P接頭或轉接線

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▼accuwitt Grand Rigid GT 650GD 650W內部結構及使用元件說明簡表

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▼accuwitt Grand Rigid GT 650GD 650W為LITE-ON(光寶)代工,採用APFC、半橋諧振、二次側12V同步整流,並經由DC-DC轉換3.3V/5V/-12V

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▼採用Yate Loon D12SH-12 12公分12V/0.3A風扇,有設置氣流導風片

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▼電路板背面焊點做工良好,大電流路徑有敷錫

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▼主電路板背面覆蓋防蟲用塑膠硬質蓋板,於12V同步整流MOSFET(紅色箭頭)及同步整流控制器(黃色箭頭)加上灰色導熱墊,並在下方塑膠硬質蓋板開孔使導熱墊可以直接接觸金屬外殼

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▼靠近後方出風口處,防蟲用塑膠硬質蓋板往上延伸(紅色箭頭),擋住出風口到電路板背面的縫隙,提高防蟲能力

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▼交流輸入插座後方加上2個Y電容(CY1/CY2),交流電源線與磁芯有包覆套管,焊點處未包覆套管

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▼主電路板交流輸入端採連接器連接,直立安裝的保險絲與突波吸收器有包覆套管。主電路板EMI濾波電路有2個X電容(CX1/CX2)、2個共模電感(CM1/CM2),2個Y電容(CY3/CY4),僅在CM1共模電感加上黑色防護外框

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▼主電路板EMI濾波電路背面有X電容放電IC(Power Integrations CAP200DG)

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▼2顆並聯的GBU808橋式整流器固定在散熱片的兩側,橋式整流下方接腳套上防蟲絕緣護套(下方紅色箭頭)

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▼APFC電感採封閉式磁芯,外面包覆黑色聚酯薄膜膠帶

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▼一次側散熱片,2顆Infineon IPA60R180P7全絕緣封裝MOSFET及1顆WeEn NXPSC06650X全絕緣封裝二極體為APFC功率元件,2顆Infineon IPA60R180P7全絕緣封裝MOSFET為一次側功率元件,最左側有2個諧振電容。APFC電感與APFC電容之間的NTC熱敏電阻及繼電器均未安裝,會影響通電瞬間湧浪電流抑制能力

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▼全絕緣封裝MOSFET/二極體的接腳均套上防蟲絕緣護套(紅色箭頭),不過護套長度略短,仍有一小部分接腳外露

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▼主電路板背面的LTA2021(LITE-ON編號)負責控制APFC及一次側諧振轉換

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▼APFC電容採用TK(Toshin Kogyo東信工業)450V 390µF LGW系列105℃電解電容

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▼輔助電源電路變壓器包覆黃色聚酯薄膜膠帶,咖啡色電解電容均為TK(Toshin Kogyo東信工業)105℃電解電容

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▼裝在子卡上的Infineon ICE3AR10080CJZ輔助電源電路一次側整合電源IC

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▼主電路板背面的LTA1903(LITE-ON編號)輔助電源電路二次側同步整流二極體

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▼主變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶,左側有兩片金屬散熱板,提供主電路板背面的12V同步整流MOSFET散熱使用

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▼主電路板背面有MPS MP6925同步整流控制器及6顆Nexperia PSMN3R5-40YSD MOSFET組成二次側12V同步整流電路,透過焊點將熱量傳遞至正面金屬散熱板,也有部分熱量透過導熱墊傳遞至背面外殼

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▼金屬散熱板旁有12V輸出濾波電路用Elite固態電容及TK(Toshin Kogyo東信工業)105℃電解電容

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▼3.3V/5V/-12V DC-DC及風扇控制子卡背面有銀色隔板

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▼取下銀色隔板,3.3V/5V DC-DC部分有2組功率元件,每組由1顆onsemi FDD8880 MOSFET加1顆onsemi FDD8896 MOSFET組成,由Anpec APW7159C進行控制

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▼子卡背面左上的TI TPS54302組成-12V DC/DC

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▼子卡背面右下有風扇控制用Weltrend WT763001

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▼子卡正面有3.3V及5V DC-DC環形磁芯電感及固態電容

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▼主電路板背面的Weltrend WT7527RT電源管理IC,負責監控輸出電壓/電流、接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號

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▼主電路板背面有3.3V/5V/12V分流器,用於偵測輸出電流提供過電流保護

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▼主電路板線組輸出端配置Elite/APAQ固態電容,線組末端使用不同顏色套管進行區分

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接下來就是上機測試

測試文閱讀方式請參照此篇:電源測試文閱讀小指南

▼accuwitt Grand Rigid GT 650GD 650W空載啟動時,耗電量為1.6W

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▼accuwitt Grand Rigid GT 650GD 650W於20%/50%/100%下效率分別為92.97%/92.27%/88.85%,符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
從電源本體及線組插頭處測試的電壓差異,會對效率產生0.07%至0.78%的影響

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▼accuwitt Grand Rigid GT 650GD 650W於10%/20%/50%/100%的交流輸入波形(黃色-電壓,紅色-電流,綠色-功率)。50%輸出下功率因數為0.9775,符合80PLUS金牌認證要求50%輸出下功率因數需大於0.9的要求

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▼綜合輸出負載測試,輸出69%時3.3V/5V電流達13A以後就不再往上加,3.3V/5V/12V電壓記錄如下表

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▼綜合輸出10%至99%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為32.2mV

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▼綜合輸出10%至99%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為26.4mV

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▼綜合輸出10%至99%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為20mV

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▼偏載測試,這時12V維持空載,分別測試3.3V滿載(CL1)、5V滿載(CL2)、3.3V/5V滿載(CL3)的3.3V/5V/12V電壓變化,並無出現超出±5%範圍情形(3.3V:3.135V-3.465V,5V:4.75V-5.25V,12V:11.4V-12.6V)

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▼純12V輸出負載測試,這時3.3V/5V維持空載,3.3V/5V/12V電壓記錄如下表

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▼純12V輸出7%至101%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為13.2mV

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▼純12V輸出7%至101%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為14mV

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▼純12V輸出7%至101%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為18mV

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▼12V低輸出轉換效率測試,輸出12V/1A效率81.5%,輸出12V/2A效率85.8%,輸出12V/3A效率88%

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▼電源PS-ON信號啟動後直接3.3V/13A、5V/13A、12V/44A滿載輸出下各電壓上升時間圖,從12V開始上升處當成起點(0.000s)時,12V上升時間為12ms,5V與3.3V上升時間為5ms

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▼3.3V/13A、5V/13A、12V/44A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖,從交流中斷處當成起點(0.000s)時,12V於20ms後低於11.4V(圖片中資料點標籤)

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以下波形圖,CH1黃色波形為動態負載電流變化波形,CH2藍色波形為12V電壓波形,CH3紫色波形為5V電壓波形,CH4綠色波形為3.3V電壓波形
▼輸出無負載時12V有鋸齒狀漣波(上圖)。輸出12V/1A至12V/2A時鋸齒波頻率改變,振幅加大(下圖)

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▼輸出12V/3A時漣波波形改變(上圖)。輸出12V/7A時漣波波形振幅最小(下圖)

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▼於3.3V/13A、5V/13A、12V/44A(綜合全負載)輸出下,12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為51.2mV/25.2mV/25.2mV,高頻漣波分別為53.2mV/25.6mV/24mV

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▼於12V/54A(純12V全負載)輸出下,12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為47.2mV/23.6mV/18.8mV,高頻漣波分別為47.6mV/23.6mV/19.2mV

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▼12V啟動動態負載,變動範圍5A至25A,維持時間500微秒,最大變動幅度為490mV,同時造成3.3V產生104mV、5V產生110mV的變動

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▼12V啟動動態負載,變動範圍25A至50A,維持時間500微秒,最大變動幅度為592mV,同時造成3.3V產生124mV、5V產生132mV的變動

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▼12V啟動動態負載,變動範圍10A至43A,維持時間500微秒,最大變動幅度為786mV,同時造成3.3V產生164mV、5V產生172mV的變動

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▼電源供應器滿載輸出下內部的紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)

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▼電源供應器滿載輸出下橋式整流/APFC電感/APFC MOSFET/APFC DIODE/一次側MOSFET(上圖)及主變壓器/二次側/DC-DC(下圖)的紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)

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▼單條EPS 4+4P連續輸出28A(336W)10分鐘後的線材部分紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)

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▼單條PCIE 6+2P連續輸出21A(252W)10分鐘後的線材部分紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)

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本體及內部結構心得小結:
◆黑色直出線組除ATX24P外其他採用帶狀線組,全部使用20AWG線路。具備1個ATX24P、1個EPS 8P、1個EPS 4+4P、4個PCIE 6+2P、8個直角SATA、2個直式大4P,未提供小4P接頭或轉接線
◆直接在外殼上沖壓風扇護網
◆電路板背面配置防蟲蓋板,靠近出風口處的防蟲蓋板向上垂直彎曲,堵住出風口到電路板背面的縫隙
◆橋式整流、APFC/一次側功率元件接腳配置防蟲絕緣護套,不過功率元件接腳護套較短,仍有一小部分接腳外露
◆未設置電源總開關,交流輸入插座後方加上Y電容的焊點處未包覆套管。交流電源線、磁芯、保險絲、突波吸收器有包覆套管
◆電路板背面焊點做工良好,大電流路徑有敷錫
◆採用APFC、半橋諧振、同步整流輸出12V,並透過DC-DC轉換3.3V/5V/-12V
◆APFC/一次側MOSFET使用Infineon,APFC二極體使用WeEn,12V同步整流MOSFET使用Nexperia,3.3V/5V DC-DC MOSFET使用onsemi,-12V DC-DC使用TI。APFC及一次側所有功率元件均採用全絕緣封裝
◆內部所有電解電容使用TK(Toshin Kogyo東信工業),固態電容使用Elite/APAQ
◆二次側電源管理IC可偵測輸出電壓及電流是否在正常範圍

各項測試結果簡單總結:
◆accuwitt Grand Rigid GT 650GD 650W空載啟動時耗電量1.6W,於20%/50%/100%下效率分別為92.97%/92.27%/88.85%,符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
◆accuwitt Grand Rigid GT 650GD 650W的功率因數修正,滿足80PLUS金牌認證要求輸出50%下功率因數需大於0.9
◆偏載測試,12V維持空載,測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化,均未超出±5%範圍
◆電源啟動至綜合全負載輸出狀態,12V上升時間為12ms,3.3V/5V上升時間為5ms
◆綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷,12V於20ms後低於11.4V
◆輸出無負載時12V有鋸齒狀漣波;輸出12V/1A至12V/2A時漣波頻率與振幅增大;輸出12V/3A時漣波波形改變;輸出12V/7A時漣波波形振幅最小;於綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為51.2mV/25.2mV/25.2mV;於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為47.2mV/23.6mV/18.8mV
◆12V動態負載測試,變動範圍5A至25A,維持時間500微秒,最大變動幅度為490mV
◆12V動態負載測試,變動範圍25A至50A,維持時間500微秒,最大變動幅度為592mV
◆12V動態負載測試,變動範圍10A至43A,維持時間500微秒,最大變動幅度為786mV
◆熱機下3.3V過電流截止點在29A(145%),5V過電流截止點在28A(140%),12V過電流截止點在64A(119%)

報告完畢,謝謝收看

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