特色：
●轉換效率通過CYBENETICS TITANIUM及80PLUS白金認證
●全模組化設計，採用編織網包覆模組化線材
●提供1個EPS 8P接頭及1個EPS 4+4P接頭，支援高階Intel/AMD處理器及主機板平台
●提供2個12V-2×6 H++插座及2條模組化線材，相容ATX 3.1，支援新款顯示卡
●採用雙TI數位控制器控制交錯式主動功率因數修正、全橋諧振、12V同步整流，單路12V輸出搭配DC-DC轉換3.3V/5V，使12V可用功率最大化，並改善各輸出電壓交叉調整率
●採用14公分SUNON磁浮軸承風扇，具備Zero Fan模式，開啟後於低負載/溫度下風扇自動停止轉動，負載/溫度提高後採溫控運轉，在散熱效能與靜音中取得平衡
●100% 105℃全日系電容，加強可靠度及耐用度，提供10年保固(台灣代理加碼至12年保固，保內換新，停產升級，不計折舊)
輸出接頭數量：
ATX 20+4P：1個
EPS 8P：1個
EPS 4+4P：1個
12V-2×6：2個
PCIE 6+2P：6個
SATA：12個
大4P：4個
▼外盒正面有NZXT商標、外觀圖、ATX 3.1圖示、80PLUS白金認證、10年保固圖示、CYBENETICS TITANIUM認證、C1500 PLATINUM名稱
▼外盒背面有NZXT商標、C1500 PLATINUM名稱、安裝示意圖、產品特色/規格、輸入/輸出規格表、轉換效率圖表、使用手冊下載QR碼連結
▼外盒上側面有C1500 PLATINUM名稱及NZXT商標。外盒下側面有NZXT商標、C1500 PLATINUM名稱、條碼、認證標誌、回收資訊、產地(中國)、廠商資訊
▼外盒左側面有NZXT商標、C1500 PLATINUM名稱、多國語言產品特色
▼外盒右側面有NZXT商標、C1500 PLATINUM名稱、電源本體輸出插座圖、模組化線材樣式/接頭配置圖/數量
▼打開外盒，盒蓋內面印上多國語言"打造非凡"
▼包裝內容，線材裝在印有商標的紫色尼龍收納袋內，電源本體裝在印有商標的白色不織布袋內
▼印有商標的紫色尼龍收納袋內有編織網包覆模組化線材、NEMA 5-15P轉IEC C19 3×2.08mm²(14AWG) 15A交流電源線、固定螺絲
▼本體尺寸為180×150×86mm
▼本體兩側外殼有NZXT商標及C1500字樣
▼可從外面拆卸的沖壓加工六角形開孔風扇護網
▼本體背面標籤有NZXT商標、產品名稱、型號、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、安規認證、80PLUS白金認證、警告訊息、產地(中國)、條碼、廠商資訊
▼本體出風口處設有IEC C20交流輸入插座、電源總開關及ZERO FAN模式開關
▼模組化線組輸出插座有名稱標示，上方標示請勿使用其他電源供應器的模組化線材
▼1條主機板電源模組化線路，提供1個ATX 20+4P接頭，線路長度60公分
▼2條處理器電源模組化線路，提供1個EPS 8P接頭及1個EPS 4+4P接頭，線路長度70公分
▼6條顯示卡電源模組化線路，提供6個PCIE 6+2P接頭，線路長度65公分
▼2條12V-2×6模組化線路，線路長度64.5公分，兩端接頭標示600W
▼12V-2×6接頭外殼側面有H++標示
▼12V-2×6接頭內部連接器的樣式如下圖所示
▼3條SATA模組化線路，提供12個直式SATA接頭，至第一個接頭線路長度50公分，接頭間線路長度14.5公分
▼1條大4P模組化線路，提供4個省力易拔大4P接頭，至第一個接頭線路長度50公分，接頭間線路長度14.5公分。未提供小4P接頭或轉接線
▼將所有模組化線路插上的樣子
▼12V-2×6模組化線路插頭連接處近照
▼內部結構及使用元件說明簡表
▼採用雙TI數位控制器控制一次側交錯式主動功率因數修正、全橋諧振、二次側12V同步整流，並經由DC-DC轉換3.3V/5V，未提供-12V輸出
▼採用SUNON 140mm MFE0251VX-1Q010-S99 MagLev磁浮軸承12V 4.97W風扇，並設置氣流導風片
▼風扇扇葉外觀
▼主電路板背面焊點整體做工良好，大電流路徑有敷錫，二次側12V迴路部分區域加上金屬板
▼交流輸入插座與電源總開關裝在金屬支架上，焊接在直立電路板，上面有2個Y電容(CY1/CY2)。電源總開關不控制交流電源線，只控制輔助電源電路
▼直立電路板背面焊點加上1個X電容(CX1)，後面的主電路板上有1個共模電感(CM1)
▼直立電路板下面有X電容放電IC及電阻
▼直立電路板旁邊的主電路板上有1個共模電感(CM2)，1個X電容(CX2)，2個Y電容(CY3/CY4)
▼主電路板上直立安裝保險絲及突波吸收器有包覆套管
▼模式開關線路有包覆套管，焊點未包覆套管
▼2個WeEn WNB2560M橋式整流器安裝在散熱片的2個面上
▼2個封閉磁芯APFC電感旁的散熱片安裝2個全絕緣封裝VISHAY SiHF065N60E MOSFET及2個Infineon IDH10G65C6二極體
▼主電路背面的onsemi NCP81071B用於驅動交錯式APFC的2個MOSFET
▼APFC電容採用3個Rubycon 420V 820µF MXE系列105℃電解電容並聯組合，總容值2460µF。2個NTC熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流，電源啟動後會使用繼電器將其短路，去除NTC所造成的功耗損失
▼總開關線路連接至輔助電源電路一次側子卡上方連接器，輔助電源電路變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶
▼子卡上的On-Bright OB2365T為輔助電源電路一次側整合IC
▼1個諧振電感及2個相疊的諧振電容組成一次側諧振槽
▼4個Alpha & Omega AOTF29S50全絕緣封裝MOSFET安裝在散熱片的兩個面
▼主電路板背面2個NOVOSENSE NSi6602B-DSWR為一次側MOSFET隔離驅動IC
▼2個主變壓器的二次側繞組直接焊接在2張12V同步整流子卡上，子卡上的金屬板作為電流傳導路徑兼散熱片使用
▼2張子卡上共有16個VISHAY SiR626DP MOSFET組成二次側12V同步整流電路
▼12V輸出的6個Nippon Chemi-con固態電容及4個Nippon Chemi-con電解電容
▼主電路板背面用來偵測12V輸出電流的6個分流器
▼交錯式APFC及12V功率級控制子卡，右邊的TI UCD3138A負責交錯式APFC控制，左邊的TI UCD3138A負責12V功率級控制，背面還有APFC電路節能控制用的Sync Power SPN5003
▼3.3V/5V DC-DC子卡正面有2個UBIQ QN3107M6N MOSFET、2個UBIQ QM3054M6 MOSFET、uPI uP3861P雙通道同步降壓控制器、2個環形電感、4個Nippon Chemi-con固態電容、2個Nichicon固態電容
▼主電路板背面的INFSitronix IN1S315I-SAG電源管理IC負責監控輸出電壓、接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號
▼模組化插座板背面與3.3V/5V DC-DC子卡之間有內鑲銅箔的隔板
▼模組化插座板正面插座之間設置32個Nippon Chemi-con固態電容及5個Nichicon固態電容，加強輸出濾波/退耦效果
▼使用標示H++(紅框)的12V-2×6插座
接下來就是上機測試
測試文閱讀方式請參照此篇：電源測試文閱讀小指南
▼110V輸入的空載功耗
▼110V輸入的10%/20%/50%/100%輸出轉換效率分別為92.53%/94.41%/94.14%/91.41%，符合80PLUS白金認證要求20%輸出90%效率、50%輸出92%效率、100%輸出89%效率，並達到80PLUS鈦金認證要求10%輸出90%效率、20%輸出92%效率、50%輸出94%效率、100%輸出90%效率
▼110V輸入下10%/20%/50%/100%輸出的交流輸入波形(黃色-電壓，紅色-電流，綠色-功率)。50%輸出下功率因數為0.9972，滿足80PLUS白金認證50%輸出下功率因數需大於0.95的要求。20%輸出下功率因數為0.9824，達到80PLUS鈦金認證20%輸出下功率因數需大於0.95的要求
▼220V輸入的空載功耗
▼220V輸入的10%/20%/50%/100%輸出轉換效率分別為93.13%/93.49%/95.13%/93.4%
▼220V輸入下10%/20%/50%/100%輸出的交流輸入波形(黃色-電壓，紅色-電流，綠色-功率)
▼110V輸入(藍線)及220V輸入(紅線)的10%/20%/50%/100%輸出轉換效率折線圖
▼110V輸入的綜合輸出負載測試，輸出36%時3.3V/5V電流達14A以後就不再往上加，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼110V輸入下綜合輸出5%至99%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為18.1mV
▼110V輸入下綜合輸出5%至99%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為16.5mV
▼110V輸入下綜合輸出5%至99%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為36mV
▼110V輸入的偏載測試，這時12V維持空載，分別測試3.3V滿載(CL1)、5V滿載(CL2)、3.3V/5V滿載(CL3)的3.3V/5V/12V電壓變化，並無出現超出±5%範圍情形(3.3V：3.135V-3.465V，5V：4.75V-5.25V，12V：11.4V-12.6V)
▼110V輸入的純12V輸出負載測試，這時3.3V/5V維持空載，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼110V輸入下純12V輸出4%至99%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為14.9mV
▼110V輸入下純12V輸出4%至99%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為14.7mV
▼110V輸入下純12V輸出4%至99%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為36mV
▼110V輸入下12V低輸出轉換效率測試，輸出12V/1A效率56.9%，輸出12V/2A效率72.2%，輸出12V/3A效率78.6%，輸出12V/4A效率82.4%
▼110V輸入時電源PS-ON信號啟動後直接3.3V/14A、5V/14A、12V/115A滿載輸出下各電壓上升時間圖，從12V開始上升處當成起點(0ms)時，12V上升時間14ms，5V上升時間6ms，3.3V上升時間6ms
▼110V輸入時3.3V/14A、5V/14A、12V/115A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖，從交流中斷處當成起點(0ms)時，12V於24ms降至11.47V(圖片中資料點標籤)
以下波形圖，CH2藍色波形為12V電壓波形，CH3紫色波形為5V電壓波形，CH4綠色波形為3.3V電壓波形
▼110V輸入下輸出無負載(上圖)及輸出12V/10A(下圖)的漣波
▼110V輸入時於3.3V/14A、5V/14A、12V/115A(綜合全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為18.4mV/7.6mV/7.2mV，高頻漣波分別為10.8mV/6.01mV/6.4mV
▼110V輸入時於12V/125A(純12V全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為17.6mV/4.4mV/4.4mV，高頻漣波分別為10.4mV/4.81mV/5.61mV
▼110V輸入下12V啟動動態負載，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度168mV，同時造成5V產生48mV、3.3V產生64mV的變動
▼110V輸入下12V啟動動態負載，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度194mV，同時造成5V產生78mV、3.3V產生100mV的變動
▼110V輸入下12V啟動動態負載，變動範圍10A至100A，維持時間500微秒，最大變動幅度646mV，同時造成5V產生122mV、3.3V產生158mV的變動
▼110V輸入下12V啟動動態負載，變動範圍20A至125A，維持時間500微秒，最大變動幅度648mV，同時造成5V產生132mV、3.3V產生154mV的變動
▼110V輸入時電源供應器滿載輸出下內部的紅外線熱影像圖
▼110V輸入時電源供應器滿載輸出下共模電感/橋式整流(上圖)及一次側MOSFET(下圖)的紅外線熱影像圖
▼110V輸入時電源供應器滿載輸出下主變壓器/整流子卡(上圖)及DC-DC MOSFET(下圖)的紅外線熱影像圖
▼110V輸入時單條EPS 8P連續輸出28A(336W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖
▼110V輸入時單條EPS 4+4P連續輸出28A(336W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖
▼110V輸入時單條PCIE 6+2P連續輸出21A(252W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖
▼110V輸入下用隨附的12V-2×6模組化線材連接MSI GEFORCE RTX 5090 32G SUPRIM SOC進行測試
▼110V輸入下執行FURMARK 30分鐘後的HWiNFO感測器頁面、GPU-Z Sensors頁面、FURMARK畫面
▼110V輸入下執行FURMARK 30分鐘後顯示卡端插頭(左上/右上)及電源端插頭(左下/右下)的紅外線熱影像圖
本體及內部結構心得小結：
○全模組化設計，採用編織網包覆模組化線材。提供1個ATX 20+4P、1個EPS 8P、1個EPS 4+4P、2個600W 12V-2×6、6個PCIE 6+2P、12個直式接頭SATA、4個省力易拔大4P，未提供小4P接頭或轉接線
○電源端使用標示H++的12V-2×6插座，S4/S3接至COM，為600W定義，S2經100kΩ電阻接至+3.3V，S1經4.7kΩ電阻接至+3.3V
○沖壓加工六角形開孔風扇護網可從外面拆卸，SUNON 140mm磁浮軸承風扇具備Zero Fan模式，開啟後於低負載/低溫下風扇停止運轉，待負載/溫度提高後才會啟動並採溫控運轉。關閉後風扇採常時溫控運轉
○總開關線路、模式開關線路、保險絲、突波吸收器有包覆套管，模式開關焊點未包覆套管
○主電路板背面焊點整體做工良好，大電流路徑有敷錫，二次側12V迴路部分區域加上金屬板
○採用雙TI數位控制器控制一次側交錯式主動功率因數修正、全橋諧振、二次側12V同步整流，輸出單路12V，搭配DC-DC轉換3.3V/5V，未提供-12V輸出
○APFC/二次側12V同步整流MOSFET採用VISHAY，APFC二極體採用Infineon，一次側MOSFET採用Alpha & Omega，3.3V/5V DC-DC MOSFET採用UBIQ。APFC及一次側MOSFET採用全絕緣封裝
○APFC電容使用Rubycon，其他固態/電解電容使用Nippon Chemi-con/Nichicon/Rubycon
○使用TI數位控制器搭配獨立二次側電源管理IC組成完整電源管理電路
各項測試結果簡單總結：
○110V輸入的10%/20%/50%/100%輸出轉換效率分別為92.53%/94.41%/94.14%/91.41%，符合80PLUS白金認證要求，並達到80PLUS鈦金認證要求
○220V輸入的10%/20%/50%/100%輸出轉換效率分別為93.13%/93.49%/95.13%/93.4%
○110V輸入的功率因數修正，符合80PLUS白金認證要求，並達到80PLUS鈦金認證水準
○110V輸入的偏載測試，12V維持空載，測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化，均未超出±5%範圍
○110V輸入下電源啟動至綜合全負載輸出狀態，12V上升時間14ms，5V上升時間6ms，3.3V上升時間6ms
○110V輸入下綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷，12V於24ms降至11.47V
○110V輸入時綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為18.4mV/7.6mV/7.2mV，於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為17.6mV/4.4mV/4.4mV
○110V輸入下12V動態負載測試，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度168mV
○110V輸入下12V動態負載測試，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度194mV
○110V輸入下12V動態負載測試，變動範圍10A至100A，維持時間500微秒，最大變動幅度646mV
○110V輸入下12V動態負載測試，變動範圍20A至125A，維持時間500微秒，最大變動幅度648mV
○110V輸入時熱機下3.3V過電流截止點30A(136%)，5V過電流截止點28A(127%)，12V過電流截止點159A(127%)
報告完畢，謝謝收看
留言列表
