特色:
海韻代工,80PLUS金牌認證轉換效率
採用OptiSink技術,將APFC及一次側功率元件以表面黏著方式固定在電路板上,讓功率元件熱量可以更有效傳導至電路板大面積銅箔,並在電路板銅箔加上散熱片,協助熱量發散
14公分短機身,全模組化設計,採用壓紋模組化線材,MB/CPU/PCIe採用鍍金高電流端子
提供2個EPS 4+4P接頭,支援高階Intel/AMD處理器及主機板平台
提供1個12V-26 H++插座及1條模組化線材,相容ATX 3及PCIe Gen 5,支援新款顯示卡
採用主動功率因數修正、全橋諧振及同步整流12V功率級,單路12V輸出搭配DC-DC轉換3.3V/5V/-12V,使12V可用功率最大化,並改善各輸出電壓交叉調整率
採用13.5公分FDB軸承風扇,具備Hybrid Silent Fan Control模式,開啟後於低負載/溫度下風扇自動停止轉動,負載/溫度提高後採溫控運轉,在散熱效能與靜音中取得平衡
100% 105C全日系電容,加強可靠度及耐用度,提供10年保固
輸出接頭數量:
ATX 20+4P:1個
EPS 4+4P:2個
12V-26:1個
PCIE 6+2P:2個
SATA:8個
大4P:3個
外盒正面有EPONTEC商標、80PLUS金牌認證、MARS 750W ATX 3名稱、PCIe Gen 5相容字樣、輸出功率、10年保固字樣
外盒背面有EPONTEC商標、80PLUS金牌認證、轉換效率圖表、英文特色說明、外觀圖、MARS 750W名稱
外盒上側面有EPONTEC商標、MARS 750W名稱、80PLUS金牌認證、16-Pin PCIe Gen 5(12V-26)線材圖示、ATX 3 / PCIe 5 READY圖示、連結QR碼;外盒下側面有多國語言產品特色簡介、EPONTEC商標
外盒左側面有EPONTEC商標、MARS 750W名稱、產品規格表、輸出規格表、線組接頭的數量及長度表、安規認證、加州65號法案警告訊息、FCC 警告訊息、條碼、產地(中國)
外盒右側面有EPONTEC商標、MARS 750W名稱、ATX 3 / PCIe Gen 5相容字樣、80PLUS金牌認證、外觀圖、內含測試器字樣
包裝內容,電源本體及模組化線組分別裝在印有EPONTEC商標的黑色不織布束口袋內,其他配件有魔鬼氈束線帶、固定螺絲、塑膠束帶、32mm2 15A交流電源線、ATX 24P啟動測試器
本體尺寸為14015086mm
本體兩側外殼有EPONTEC商標及裝飾圖樣
直接在外殼上沖壓長條狀開孔風扇護網,中間有EPONTEC商標銘牌
本體背面標籤有EPONTEC商標、MARS 750W ATX 3名稱、警告訊息、MARS-SSV4GX-750型號、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、安規認證、製造商資訊、產地(中國)、80PLUS金牌認證、條碼
本體出風口處設有交流輸入插座、電源總開關及HYBRID模式開關,交流輸入插座上方有金色MARS字樣
模組化線組輸出插座有名稱標示,左下方有EPONTEC商標
採用壓紋模組化線材
1條主機板電源模組化線路,提供1個ATX 20+4P接頭,線路長度60.5公分
2條處理器電源模組化線路,提供2個EPS 4+4P接頭,線路長度75公分
2條顯示卡電源模組化線路,提供2個PCIE 6+2P接頭,線路長度75公分
主機板/處理器/顯示卡電源模組化線路兩端接頭採用鍍金高電流連接器
1條12V-26模組化線路,線路長度69.5公分,兩端接頭標示600W
12V-26接頭內部連接器的樣式如下圖所示
2條SATA模組化線路,提供8個直式SATA接頭,至第一個接頭線路長度50公分,接頭間線路長度15.5公分
1條大4P模組化線路,提供3個省力易拔大4P接頭,至第一個接頭線路長度45公分,接頭間線路長度12.5公分。未提供小4P接頭或轉接線
將所有模組化線路插上的樣子
12V-26模組化線路插頭連接處近照
內部結構及使用元件說明簡表
採用一次側主動功率因數修正及全橋諧振,二次側12V同步整流,並經由DC-DC轉換3.3V/5V/-12V。圖片中最下方的OptiSink子卡整合APFC及一次側功率元件,並將子卡安置在電源側邊接近外殼處,此位置靠近風扇扇葉邊緣,較大的氣流流速可提高散熱效率,子卡部分熱量也能透過輻射傳導到電源側邊外殼
採用HONG HUA HA13525H12F-Z 12V/0.5A風扇,並設置氣流導風片
交流輸入插座及總開關後方加上小電路板,正面有2個Y電容(CY1/CY2),下方有1個X電容(CX1),背面有X電容放電IC及電阻,未覆蓋隔板。磁芯、交流電源線、模式開關及線路有包覆套管
主電路板背面沒有任何元件,焊點整體做工良好,部分大電流路徑有敷錫
主電路板上有2個共模電感(CM1/CM2)、1個X電容(CX2)及2個Y電容(CY3/CY4)。直立安裝的保險絲有包覆套管,突波吸收器未包覆套管
2個並聯的GBU1508橋式整流器固定在散熱片的兩個面上
OptiSink由Optimize(最佳化)的前4個字母及Heatsink(散熱片)的後4個字母所組成,TO-263(D2PAK)表面黏著封裝功率元件錫焊在子卡銅箔上,因為錫焊導熱效果很好,功率元件熱量能快速傳導至子卡銅箔上,鍍鎳處理的鋁散熱片錫焊在子卡上方銅箔,用來增加散熱表面積。散熱片鰭片方向與風扇風向相同,可降低氣流通過阻力。APFC功率元件採用2個Alpha & Omega AOB190A60CL MOSFET及Infineon IDK08G65C5二極體。一次側功率元件採用4個Great Power GPT13N50X MOSFET
OptiSink子卡上的Champion CM6500UNX負責APFC電路控制
OptiSink子卡上方打孔,增加散熱表面積
APFC電容採用Rubycon 400V 560μF MXK系列105C電解電容
本體及接腳包覆套管的NTC熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流,電源啟動後會使用繼電器將其短路,去除NTC所造成的功耗損失
輔助電源電路一次側整合IC為Excelliance MOS EM8569C,二次側同步整流為DONGKE DK5V45R10S
輔助電源電路變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶
1個諧振電感及1個諧振電容組成一次側諧振槽,諧振電感、一次側MOSFET隔離驅動變壓器、一次側電流偵測比流器包覆黑色聚酯薄膜膠帶
主變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶
主變壓器二次側區域散熱片下方4個Nexperia PSMN1R4-40YLD MOSFET組成二次側12V同步整流電路
主電路板正面的Champion CU6901VPA負責一次側諧振及二次側12V同步整流控制
12V輸出的6個Nippon Chemi-con固態電容、3個Nichicon電解電容、2個電感、3個偵測12V電流的分流器(紅框)
3.3V/5V/-12V DC-DC及電源管理子卡正面Anpec APW7159C雙通道同步降壓PWM控制器及6個Nexperia PSMN4R0-30YLD MOSFET負責轉換3.3V及5V。3.3V/5V/-12V DC-DC及電源管理子卡透過焊點與模組化插座板直接相連
3.3V/5V/-12V DC-DC及電源管理子卡的Diodes(原Lite-On Semiconductor) LSP5523負責轉換-12V
3.3V/5V/-12V DC-DC及電源管理子卡的Weltrend WT7527RA電源管理IC負責監控輸出電壓/電流、接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號
主電路板正面的Nuvoton M031FB0AE微控制器負責風扇控制
模組化插座板背面未覆蓋隔板,模組化插座板正面插座之間設置13個Nichicon固態電容、2個Nippon Chemi-con電解電容,加強輸出濾波/退耦效果
使用標示H++(紅框)的12V-26插座
接下來就是上機測試
測試文閱讀方式請參照此篇:電源測試文閱讀小指南
空載功耗
20%/50%/100%輸出轉換效率分別為90.35%/91.97%/89.81%,符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
10%/20%/50%/100%輸出的交流輸入波形(黃色-電壓,紅色-電流,綠色-功率)。50%輸出下功率因數為0.9684,符合80PLUS金牌認證要求50%輸出下功率因數需大於0.9
綜合輸出負載測試,輸出52%時3.3V/5V電流達12A以後就不再往上加,3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
綜合輸出9%至101%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為65.3mV
綜合輸出9%至101%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為70.4mV
綜合輸出9%至101%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為60mV
偏載測試,這時12V維持空載,分別測試3.3V滿載(CL1)、5V滿載(CL2)、3.3V/5V滿載(CL3)的3.3V/5V/12V電壓變化,並無出現超出5%範圍情形(3.3V:3.135V-3.465V,5V:4.75V-5.25V,12V:11.4V-12.6V)
純12V輸出負載測試,這時3.3V/5V維持空載,3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
純12V輸出6%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為45mV
純12V輸出6%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為44.7mV
純12V輸出6%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為48mV
12V低輸出轉換效率測試,輸出12V/1A效率62.9%,輸出12V/2A效率74.8%,輸出12V/3A效率78.9%
電源PS-ON信號啟動後直接3.3V/12A、5V/12A、12V/54A滿載輸出下各電壓上升時間圖,從12V開始上升處當成起點(0ms)時,12V上升時間37ms,5V上升時間5ms,3.3V上升時間5ms
3.3V/12A、5V/12A、12V/54A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖,從交流中斷處當成起點(0ms)時,12V於19ms開始壓降,21ms降至11.44V(圖片中資料點標籤)
以下波形圖,CH2藍色波形為12V電壓波形,CH3紫色波形為5V電壓波形,CH4綠色波形為3.3V電壓波形
輸出無負載(上圖)及輸出12V/1A(下圖)的漣波
輸出12V/3A(上圖)及輸出12V/7A(下圖)的漣波
輸出12V/8A(上圖)及輸出12V/11A(下圖)的漣波
於3.3V/12A、5V/12A、12V/54A(綜合全負載)輸出下,12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為18.4mV/13.6mV/10mV,高頻漣波分別為10mV/13.6mV/10mV
於12V/62A(純12V全負載)輸出下,12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為18.8mV/10.4mV/5.6mV,高頻漣波分別為8.8mV/9.6mV/7.2mV
12V啟動動態負載,變動範圍5A至25A,維持時間500微秒,最大變動幅度354mV,同時造成5V產生58mV、3.3V產生102mV的變動
12V啟動動態負載,變動範圍25A至50A,維持時間500微秒,最大變動幅度364mV,同時造成5V產生94mV、3.3V產生160mV的變動
12V啟動動態負載,變動範圍10A至50A,維持時間500微秒,最大變動幅度436mV,同時造成5V產生130mV、3.3V產生216mV的變動
12V啟動動態負載,變動範圍20A至62A,維持時間500微秒,最大變動幅度516mV,同時造成5V產生140mV、3.3V產生226mV的變動
電源供應器滿載輸出下內部的紅外線熱影像圖
電源供應器滿載輸出下橋式整流(上圖)及APFC MOSFET/APFC二極體/APFC電感(下圖)的紅外線熱影像圖
電源供應器滿載輸出下一次側MOSFET(上圖)及諧振電感(下圖)的紅外線熱影像圖
電源供應器滿載輸出下主變壓器/二次側(上圖)及DC-DC MOSFET(下圖)的紅外線熱影像圖
單條EPS 4+4P連續輸出28A(336W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖
單條PCIE 6+2P連續輸出21A(252W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖
本體及內部結構心得小結:
14公分短機身,全模組化設計,採用壓紋模組化線材。提供1個ATX 20+4P、2個EPS 4+4P、1個600W 12V-26、2個PCIE 6+2P、8個SATA、3個省力易拔大4P,未提供小4P接頭或轉接線。MB/CPU/PCIe採用鍍金高電流端子
電源端使用標示H++的12V-26插座,S4/S3接至COM,為600W定義,S2/S1空接(未接到COM或是經上拉電阻接至+3.3V)
長條狀孔洞風扇護網直接沖壓在外殼上,具備Hybrid Silent Fan Control功能,開啟後於低負載/低溫下風扇停止運轉,待負載/溫度提高後才會啟動並採溫控運轉。關閉後風扇採常時溫控運轉
磁芯/交流電源線/模式開關本體/模式開關線路/主電路板保險絲有包覆套管,突波吸收器未包覆套管,交流輸入插座及總開關的小電路板背面未覆蓋隔板
所有元件都移到主電路板正面,焊點整體做工良好,部分區域線路有敷錫
採用一次側主動功率因數修正及全橋諧振,二次側同步整流輸出單路12V,搭配DC-DC轉換3.3V/5V/-12V
OptiSink子卡整合表面黏著封裝APFC/一次側功率元件及APFC控制器,子卡焊上散熱片及打孔增加散熱表面積
APFC MOSFET採用Alpha & Omega,APFC二極體採用Infineon,一次側MOSFET採用Great Power,二次側12V同步整流及3.3V/5V DC-DC MOSFET採用Nexperia,-12V DC-DC採用Diodes(原Lite-On Semiconductor)
APFC電容使用Rubycon,其他固態/電解電容使用Nippon Chemi-con/Nichicon/Rubycon
二次側電源管理IC可偵測輸出電壓/電流是否在正常範圍,並加裝微控制器控制風扇
各項測試結果簡單總結:
20%/50%/100%輸出轉換效率分別為90.35%/91.97%/89.81%,符合80PLUS金牌認證
功率因數修正,符合80PLUS金牌認證
偏載測試,12V維持空載,測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化,均未超出5%範圍
電源啟動至綜合全負載輸出狀態,12V上升時間37ms,5V上升時間5ms,3.3V上升時間5ms
綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷,12V於19ms開始壓降,21ms降至11.44V
綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為18.4mV/13.6mV/10mV,於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為18.8mV/10.4mV/5.6mV
12V動態負載測試,變動範圍5A至25A,維持時間500微秒,最大變動幅度354mV
12V動態負載測試,變動範圍25A至50A,維持時間500微秒,最大變動幅度364mV
12V動態負載測試,變動範圍10A至50A,維持時間500微秒,最大變動幅度436mV
12V動態負載測試,變動範圍20A至62A,維持時間500微秒,最大變動幅度516mV
熱機下3.3V過電流截止點30A(150%),5V過電流截止點28A(140%),12V過電流截止點86A(139%)
報告完畢,謝謝收看
