NZXT C850特色:
●80PLUS金牌認證轉換效率,正常負載下效率高達90%,節省電能消耗,降低廢熱產生
●全模組化設計,黑色編織網包覆/帶狀模組化線路,安裝便捷,整線輕鬆
●處理器12V供電提供2組4+4P接頭,支援Intel/AMD最新處理器/主機板平台
●全橋LLC諧振轉換,搭配12V同步整流及3.3V/5V DC-DC轉換設計,使12V可用功率最大化,並改善各輸出電壓交叉調整率
●採用長壽命12公分FDB液態軸承風扇及智慧溫控,使用者可開啟/關閉ZERO RPM FAN MODE零轉風扇模式,開啟後低負載輸出下風扇自動停轉,兼顧靜音及高效散熱
●全日系電容,加強可靠度及耐用度,保證足瓦連續輸出能力,並提供十年產品保固

NZXT C850輸出接頭數量:
ATX20+4P:1個
EPS 4+4P:2個
PCIE 6+2P:6個
SATA:8個
大4P:6個

▼外盒正面有產品名稱及外觀圖

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▼外盒背面有安裝示意圖、商標、產品名稱、三種語言產品特色/規格表、輸入/輸出規格表、80PLUS金牌認證標章

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▼外盒上/下側面有商標、產品名稱、條碼、安規認證標章、廠商資訊、產地

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▼外盒左/右側面有多國語言產品特色說明及中文產品/代理商聯絡資訊

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▼包裝內容,印有商標的黑色不織布套裝著電源本體,印有商標的紫色尼龍拉鍊袋放置交流電源線/固定螺絲/模組化線組,並隨附紙本說明文件

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▼本體不含模組化線組插頭的尺寸為150x150x86mm,外殼採用黑色烤漆處理

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▼本體兩個側面有圓弧內凹加工處理,並印上NZXT商標及C850產品名稱

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▼直接在外殼上沖壓圓孔網狀風扇護網

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▼後方圓孔網狀出風口處設有交流輸入插座、電源總開關及ZERO RPM FAN MODE(零轉風扇模式)開關

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▼模組化線組輸出插座有標示,並加註”請勿使用其他電源模組化線材”警語,易碎標籤黏貼於此面其中一顆螺絲

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▼本體背面的規格標籤,標籤印上商標、型號、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、80PLUS金牌認證標章、安規認證標章、警告訊息、產地、製造商(海韻電子)、條碼

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▼一組長度61公分主機板電源黑色編織網包覆模組化線路,提供1個ATX20+4P接頭,靠近主機板側接頭的熱縮套管內有電容

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▼兩組長度65公分處理器電源黑色編織網包覆模組化線路,每組提供1個EPS 4+4P接頭,靠近主機板側接頭的熱縮套管內有電容

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▼三組顯示卡電源黑色編織網包覆模組化線路,每組提供2個PCIE 6+2P接頭,至第一個接頭線路長度為68公分,接頭間線路長度為7.5公分,靠近顯示卡側接頭的熱縮套管內有電容

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▼兩組SATA接頭黑色帶狀模組化線路,每組提供4個直式SATA接頭,至第一個接頭線路長度為51公分,接頭間線路長度為10.5公分

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▼兩組大4P接頭黑色帶狀模組化線路,每組提供3個省力易拔大4P接頭,至第一個接頭線路長度為50公分,接頭間線路長度為10公分,未提供小4P接頭或轉接線

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▼將所有模組化線路插上的樣子

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▼NZXT C850內部結構及使用元件說明簡表

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▼內部結構圖,NZXT C850為SeaSonic海韻電子代工,採用APFC、FB-LLC(全橋諧振)、二次側12V同步整流,並經由DC-DC轉換3.3V/5V

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▼風扇為Hong Hua HA1225H12F-Z 12公分12V/0.58A FDB軸承兩線式風扇,並設置氣流導風片

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▼電路板背面焊點整體做工良好,大電流線路有額外敷錫處理

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▼交流輸入插座及總開關後方加上小電路板,小電路板這一側可以看到2個Y電容。磁芯、交流電源線、風扇模式開關及其線路都有額外包覆套管

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▼小電路板另一側可以看到1個X電容,背面有X電容放電用Champion CM02X及隨附元件,並蓋上絕緣隔板

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▼主電路板交流輸入端的突波吸收器及保險絲,直立安裝的保險絲外面包覆套管,突波吸收器未包覆套管

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▼電路板上EMI濾波電路有2個共模電感、1個X電容及2個Y電容

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▼2顆GBU1508橋式整流器裝在散熱片上

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▼APFC電感採用封閉磁芯,底部有灰色固定膠

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▼安裝在散熱片上的APFC功率元件,使用2顆Infineon IPAW60R180P7S全絕緣封裝Power MOSFET及1顆ST STTH8S06D二極體。綠色圓餅狀NTC熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流,電源啟動後會使用繼電器將其短路,去除NTC所造成的功耗損失

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▼安裝在電路板背面的Champion CM6500UNX PFC控制器

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▼輔助電源電路一次側使用Excelliance MOS杰力EM8569C整合式電源IC,輔助電源電路變壓器包覆黃色聚酯薄膜膠帶

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▼APFC電容採用Nippon Chemi-con KMR系列680µF 400V 105℃電解電容

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▼一次側功率元件分別安裝在2片散熱片上,使用4顆Great Power深圳冠順微電子GPT13N50DG全絕緣封裝Power MOSFET,功率元件上方為一次側功率元件隔離驅動變壓器。右側的諧振電感與諧振電容組成一次側LLC諧振槽,諧振電感右側為一次側電流偵測用比流器。隔離驅動變壓器、諧振電感與比流器包覆黃色聚酯薄膜膠帶

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▼安裝在電路板背面的Champion CM6901T6X諧振控制器

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▼主變壓器包覆黃色聚酯薄膜膠帶

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▼安裝在電路板背面的12V同步整流功率元件,採用4顆Nexperia PSMN2R6-40YS MOSFET組成全波同步整流電路。同步整流功率元件於運作中產生的熱量,會透過焊點傳導至電路板正面金屬散熱板上

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▼12V輸出濾波電路有6顆Nippon Chemi-con固態電容、2個電感及2顆Nippon Chemi-con電解電容。固態電容上方覆蓋同步整流功率元件用金屬散熱板,散熱板上預留散熱鰭片鎖點

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▼DC-DC子卡,負責將12V轉換成3.3V/5V輸出,正面有電感及Nichicon固態電容,子卡背面的功率元件透過絕緣導熱墊將熱量傳導至鋁製散熱板上

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▼安裝在電路板背面的Weltrend WT7527V二次側電源管理IC,負責監控輸出電壓/電流/短路及接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號

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▼模組化輸出插座板背面未加上絕緣隔板

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▼模組化輸出插座板正面加上4顆Nippon Chemi-con固態電容及3顆Nichicon電解電容,提高輸出濾波效果。左側使用2支實心金屬條輔助固定及傳輸電流

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接下來就是上機測試

測試文閱讀方式請參照此篇:電源測試文閱讀小指南

▼NZXT C850於20%/50%/100%下效率分別為90.8%/91.43%/88.16%,符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
從電源本體及線組插頭處測試的電壓差異,會對效率產生0.05%至0.4%的影響

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▼NZXT C850於10%、20%、50%、100%的交流輸入波形(黃色-電壓,紅色-電流,綠色-功率)。50%輸出下功率因數為0.9704,符合80PLUS金牌認證要求50%輸出下功率因數需大於0.9的要求

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▼進行綜合輸出負載測試,輸出37%時3.3V/5V達到電源供應器標示最大總和功率100W,所以3.3V/5V電流達12A以後就不再往上加,3.3V/5V/12V電壓記錄如下表

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▼綜合輸出6%至101%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為56.5mV

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▼綜合輸出6%至101%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為35.7mV

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▼綜合輸出6%至101%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為48mV

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▼偏載測試,這時12V維持空載,分別測試3.3V滿載(CL1)、5V滿載(CL2)、3.3V/5V滿載(CL3)的3.3V/5V/12V電壓變化,並無出現超出±5%範圍情形(3.3V:3.135V-3.465V,5V:4.75V-5.25V,12V:11.4V-12.6V)

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▼進行12V輸出負載測試,這時3.3V/5V維持空載,3.3V/5V/12V電壓記錄如下表

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▼純12V輸出4%至101%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為25.8mV

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▼純12V輸出4%至101%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為26.3mV

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▼純12V輸出4%至101%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為28mV

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▼電源PS-ON信號啟動後直接3.3V/12A、5V/12A、12V/63A滿載輸出下各電壓上升時間圖,從12V開始上升處當成起點(0.000s)時,12V上升時間為11ms,5V與3.3V上升時間為4ms

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▼3.3V/12A、5V/12A、12V/63A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖,從交流中斷處當成起點(0.000s)時,12V於21ms至驟降轉折點(如圖片中資料點標籤),符合Intel制定Hold-up time需高於16ms的要求

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以下波形圖,CH1黃色波型為動態負載電流變化波型,CH2藍色波形為12V電壓波型,CH3紫色波型為5V電壓波型,CH4綠色波型為3.3V電壓波型
▼當輸出無負載時,12V/5V/3.3V無明顯漣波

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▼於3.3V/12A、5V/12A、12V/63A靜態負載輸出下,12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為20mV/15.2mV/12.4mV,高頻漣波分別為10.4mV/16.8mV/14mV

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▼於12V/71A靜態負載輸出下,12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為20.4mV/8.4mV/8.4mV,高頻漣波分別為9.6mV/8.8mV/8.4mV

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▼3.3V啟動動態負載,變動範圍5A至15A,維持時間500微秒,最大變動幅度566mV,同時造成5V產生188mV、12V產生116mV的變動

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▼5V啟動動態負載,變動範圍5A至15A,維持時間500微秒,最大變動幅度為554mV,同時造成3.3V產生222mV、12V產生128mV的變動

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▼12V啟動動態負載,變動範圍5A至25A,維持時間500微秒,最大變動幅度為208mV,同時造成3.3V產生62mV、5V產生48mV的變動

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▼綜合輸出101%電源供應器內部紅外線熱影像圖(上),溫度由高而低排列分別是二次側105.2℃,橋式整流103.4℃,主變壓器91℃,諧振電感85.7℃,一次側81.2℃,APFC區76℃,3.3V/5V DC-DC區56.2℃

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▼純12V輸出101%電源供應器內部紅外線熱影像圖(下),溫度由高而低排列分別是二次側100.5℃,橋式整流100℃,主變壓器88.4℃,諧振電感81.3℃,一次側74.7℃,APFC區72.4℃,3.3V/5V DC-DC區44℃

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▼電源供應器滿載下,電源供應器模組化插座的紅外線熱影像圖

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本體及內部結構心得小結:
◆NZXT C系列代工廠為SeaSonic海韻
◆全模組化設計,黑色編織網包覆及帶狀模組化線組,CPU供電提供2個4+4P接頭,未提供小4P接頭或轉接線。因為主機板/CPU/PCIE模組化線於靠裝置側接頭的12V線路有加上電容,建議避免彎折靠裝置側接頭的熱縮套管
◆風扇護網直接沖壓在外殼上
◆交流輸入插座/總開關後方小電路板有X/Y電容及X電容放電IC,並覆蓋絕緣隔板。磁芯、交流電源線、風扇模式開關/線路、保險絲均包覆套管,突波吸收器未包覆套管
◆採用虹冠方案APFC、全橋LLC諧振與同步整流輸出12V,並透過DC-DC轉換3.3V/5V
◆APFC功率元件使用英飛凌及ST,一次側功率元件使用深圳冠順微電子,二次側功率元件使用Nexperia。APFC及一次側MOSFET均使用全絕緣封裝
◆內部電容採用Nippon Chemi-con、Nichicon品牌

各項測試結果簡單總結:
◆NZXT C850於20%/50%/100%下效率分別為90.8%/91.43%/88.16%,符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
◆NZXT C850的功率因數修正,滿足80PLUS金牌認證要求輸出50%下功率因數需大於0.9
◆偏載測試,12V維持空載,測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化,均無出現超出±5%範圍情形
◆電源啟動至全負載輸出狀態,12V上升時間為11ms,3.3V/5V上升時間為4ms
◆全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷,12V於21ms至驟降轉折點,符合Intel制定Hold-up time需高於16ms的要求
◆輸出漣波測試,空載下無明顯漣波;於3.3V/12A、5V/12A、12V/61A靜態負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為20mV/15.2mV/12.4mV;於12V/71A靜態負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為20.4mV/8.4mV/8.4mV
◆3.3V/5V動態負載測試,變動範圍5A至15A,維持時間500微秒,最大變動幅度分別為566mV/554mV
◆12V動態負載測試,變動範圍5A至25A,維持時間500微秒,最大變動幅度為208mV
◆全負載輸出下,二次側有最高溫度,橋式整流/主變壓器/諧振電感亦有明顯溫度
◆3.3V過電流截止點在28A(140%),5V過電流截止點在28A(140%),12V過電流截止點在105A(150%)

報告完畢,謝謝收看

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