特色：
●獨家首創防蟲設計，電路板背面配置防蟲蓋板，一次側元件接腳配置防蟲絕緣護套
●通過80PLUS金牌認證，降低廢熱產生，節省電能消耗及電費支出
●14公分短機身，搭配黑色直出線組，提供2個EPS 4+4P接頭，支援Intel/AMD處理器及主機板平台
●諧振轉換搭配12V同步整流及3.3V/5V/-12V DC-DC轉換設計，單路12V輸出，使12V可用功率最大化，改善各輸出電壓交叉調整率
●內部12公分溫控散熱風扇具備風扇停轉功能，於低負荷下風扇將停止轉動，在散熱效能與靜音中取得平衡
●多重電路保護設計
●內部採用長效固態電容及全日系電解電容，提供十年保固維修
官方LINE@：@accuwitt
accuwitt Grand Rigid GT 750GD 750W輸出接頭數量：
ATX20+4P：1個
EPS 4+4P：2個
PCIE 6+2P：4個
SATA：8個
大4P：2個
▼外盒正面有商標、”Bug Buster”防蟲圖示、中英文”獨家首創防蟲高效電源”字樣、產品名稱、80PLUS金牌認證、10年保固圖示、產品特色
▼外盒背面有商標、產品名稱、輸入/輸出規格表、接頭外觀/數量/線材長度配置圖、安規認證
▼外盒上側面有商標、產品名稱、中英文九大特色說明、80PLUS金牌認證、10年保固圖示、”Bug Buster”防蟲圖示。外盒下側面有商標、產品名稱、條碼、授權製造商資訊、代理商資訊、官方網站連結QR碼、官方Line連結QR碼
▼外盒左/右側面有商標、產品名稱、80PLUS金牌認證、10年保固圖示、”Bug Buster”防蟲圖示
▼於外盒開啟處的內面印上商標
▼包裝內容有中文使用手冊、英文使用手冊、電源本體、固定螺絲、魔鬼氈整線帶、交流電源線
▼本體尺寸為150x86x140mm
▼本體兩側貼上亮面貼紙，上面印上商標、”Bug Buster”防蟲圖示、中英文”獨家首創防蟲高效電源”字樣、產品名稱、80PLUS金牌認證、10年保固圖示、官方網址
▼風扇護網直接沖壓在外殼上，中心處有商標銘牌
▼本體背面的標籤有商標、產品名稱、80PLUS金牌認證、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、型號、製造廠商資訊、產地、安規認證、中英文警告訊息、條碼
▼本體出風口處交流輸入插座旁有商標/標語及”Bug Buster”防蟲圖示
▼直出線組開口右下方有5個長條形通風開口
▼一組主機板電源黑色直出線路，提供1個ATX24P接頭，20AWG線路長度為60公分
▼一組處理器電源黑色直出帶狀線路，提供1個EPS 8P接頭及1個EPS 4+4P接頭，至EPS 8P接頭20AWG線路長度為65公分，EPS 8P至EPS 4+4P接頭間20AWG線路長度為15公分
▼兩組顯示卡電源黑色直出帶狀線路，提供4個PCIE 6+2P接頭，至第一個接頭20AWG線路長度為60公分，接頭間20AWG線路長度為15公分
▼兩組SATA/大4P黑色直出帶狀線路，提供8個直角SATA接頭及2個直式大4P接頭，至第一個接頭20AWG線路長度為45公分，接頭間20AWG線路長度為11.5公分，其中一條的最後兩段線路較長(紅色箭頭)，長度為15公分。未提供小4P接頭或轉接線
▼accuwitt Grand Rigid GT 750GD 750W內部結構及使用元件說明簡表
▼accuwitt Grand Rigid GT 750GD 750W為LITE-ON(光寶)代工，採用APFC、半橋諧振、二次側12V同步整流，並經由DC-DC轉換3.3V/5V/-12V
▼採用Yate Loon D12SH-12 12公分12V/0.3A風扇，有設置氣流導風片
▼電路板背面焊點做工良好，大電流路徑有敷錫
▼主電路板背面覆蓋防蟲用塑膠硬質蓋板，於12V同步整流MOSFET(紅色箭頭)及同步整流控制器(黃色箭頭)加上灰色導熱墊，並在下方塑膠硬質蓋板開孔使導熱墊可以直接接觸金屬外殼
▼靠近後方出風口處，防蟲用塑膠硬質蓋板往上延伸(紅色箭頭)，擋住出風口到電路板背面的縫隙，提高防蟲能力
▼交流輸入插座後方加上2個Y電容(CY1/CY2)，交流電源線與磁芯有包覆套管，焊點處未包覆套管
▼主電路板交流輸入端採連接器連接，直立安裝的保險絲與突波吸收器有包覆套管。主電路板EMI濾波電路有2個X電容(CX1/CX2)、2個共模電感(CM1/CM2)，2個Y電容(CY3/CY4)，僅在CM1共模電感加上黑色防護外框
▼主電路板EMI濾波電路背面有X電容放電IC(Power Integrations CAP200DG)
▼2顆並聯的GBU808橋式整流器固定在散熱片的兩側，橋式整流下方接腳套上防蟲絕緣護套(下方紅色箭頭)
▼APFC電感採封閉式磁芯，外面包覆黑色聚酯薄膜膠帶
▼一次側散熱片，2顆Infineon IPA60R120P7全絕緣封裝MOSFET及1顆TOSHIBA TRS6A65F全絕緣封裝二極體為APFC功率元件，2顆Infineon IPA60R180P7全絕緣封裝MOSFET為一次側功率元件，最左側有1個諧振電感與2個諧振電容。APFC電感與APFC電容之間的NTC熱敏電阻及繼電器均未安裝，會影響通電瞬間湧浪電流抑制能力
▼全絕緣封裝MOSFET/二極體的接腳均套上防蟲絕緣護套(紅色箭頭)，不過護套長度略短，仍有一小部分接腳外露
▼主電路板背面的LTA2021(LITE-ON編號)負責控制APFC及一次側諧振轉換
▼APFC電容採用TK(Toshin Kogyo東信工業)450V 470µF LGW系列105℃電解電容
▼輔助電源電路變壓器包覆黃色聚酯薄膜膠帶，咖啡色電解電容均為TK(Toshin Kogyo東信工業)105℃電解電容
▼裝在子卡上的Infineon ICE3AR10080CJZ輔助電源電路一次側整合電源IC
▼主電路板背面的LTA1903(LITE-ON編號)輔助電源電路二次側同步整流二極體
▼主變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶，左側有兩片金屬散熱板，提供主電路板背面的12V同步整流MOSFET散熱使用
▼主電路板背面有MPS MP6925同步整流控制器及6顆Nexperia PSMN2R2-40YSD MOSFET組成二次側12V同步整流電路，透過焊點將熱量傳遞至正面金屬散熱板，也有部分熱量透過導熱墊傳遞至背面外殼
▼金屬散熱板旁有12V輸出濾波電路用APAQ固態電容及TK(Toshin Kogyo東信工業)105℃電解電容
▼3.3V/5V/-12V DC-DC及風扇控制子卡背面有銀色隔板
▼取下銀色隔板，3.3V/5V DC-DC部分有2組功率元件，每組由1顆onsemi FDD8880 MOSFET加1顆onsemi FDD8896 MOSFET組成，由Anpec APW7159C進行控制
▼子卡背面左上的TI TPS54302組成-12V DC/DC
▼子卡背面右下有風扇控制用Weltrend WT763001
▼子卡正面有3.3V及5V DC-DC環形磁芯電感及Elite/APAQ固態電容
▼主電路板背面的Weltrend WT7527RT電源管理IC，負責監控輸出電壓/電流、接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號
▼主電路板背面有3.3V/5V/12V分流器，用於偵測輸出電流提供過電流保護
▼主電路板線組輸出端配置APAQ/SAMXON固態電容，線組末端使用不同顏色套管進行區分
接下來就是上機測試
測試文閱讀方式請參照此篇：電源測試文閱讀小指南
▼accuwitt Grand Rigid GT 750GD 750W空載啟動時，耗電量為1.5W
▼accuwitt Grand Rigid GT 750GD 750W於20%/50%/100%下效率分別為93.13%/92.49%/88.61%，符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
從電源本體及線組插頭處測試的電壓差異，會對效率產生0.1%至0.9%的影響
▼accuwitt Grand Rigid GT 750GD 750W於10%/20%/50%/100%的交流輸入波形(黃色-電壓，紅色-電流，綠色-功率)。50%輸出下功率因數為0.9934，符合80PLUS金牌認證要求50%輸出下功率因數需大於0.9的要求
▼綜合輸出負載測試，輸出60%時3.3V/5V電流達13A以後就不再往上加，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼綜合輸出9%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為40mV
▼綜合輸出9%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為34.1mV
▼綜合輸出9%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為26mV
▼偏載測試，這時12V維持空載，分別測試3.3V滿載(CL1)、5V滿載(CL2)、3.3V/5V滿載(CL3)的3.3V/5V/12V電壓變化，並無出現超出±5%範圍情形(3.3V：3.135V-3.465V，5V：4.75V-5.25V，12V：11.4V-12.6V)
▼純12V輸出負載測試，這時3.3V/5V維持空載，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼純12V輸出6%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為18.3mV
▼純12V輸出6%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為18.9mV
▼純12V輸出6%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為24mV
▼12V低輸出轉換效率測試，輸出12V/1A效率82.1%，輸出12V/2A效率86.5%，輸出12V/3A效率88.1%
▼電源PS-ON信號啟動後直接3.3V/13A、5V/13A、12V/53A滿載輸出下各電壓上升時間圖，從12V開始上升處當成起點(0.000s)時，12V上升時間為12ms，5V與3.3V上升時間為5ms。12V於14ms開始出現數次電壓波動(紅框處)
▼3.3V/13A、5V/13A、12V/53A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖，從交流中斷處當成起點(0.000s)時，12V接近截止前出現數次電壓波動，於10ms第一次波動降至11.34V，於12ms第二次波動中降至11.38V
以下波形圖，CH1黃色波形為動態負載電流變化波形，CH2藍色波形為12V電壓波形，CH3紫色波形為5V電壓波形，CH4綠色波形為3.3V電壓波形
▼輸出無負載時12V有鋸齒狀漣波(上圖)。輸出12V/1A至12V/3A時鋸齒波頻率改變，振幅加大(下圖)
▼輸出12V/4A時漣波波形改變(上圖)。輸出12V/9A時漣波波形振幅最小(下圖)
▼於3.3V/13A、5V/13A、12V/53A(綜合全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為59.2mV/19.6mV/23.6mV，高頻漣波分別為54.8mV/19.6mV/24.8mV
▼於12V/62A(純12V全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為55.6mV/18mV/14.8mV，高頻漣波分別為57.6mV/17.6mV/14.4mV
▼12V啟動動態負載，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度為480mV，同時造成3.3V產生86mV、5V產生88mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度為588mV，同時造成3.3V產生98mV、5V產生104mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍10A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度為926mV，同時造成3.3V產生150mV、5V產生158mV的變動
▼電源供應器滿載輸出下內部(上圖)及背面外殼(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼電源供應器滿載輸出下橋式整流/APFC電感/APFC MOSFET/APFC DIODE/一次側MOSFET/諧振電感(上圖)及主變壓器/二次側/DC-DC(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼單條EPS 4+4P連續輸出28A(336W)10分鐘後的線材部分紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼單條PCIE 6+2P連續輸出21A(252W)10分鐘後的線材部分紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
本體及內部結構心得小結：
◆黑色直出線組除ATX24P外其他採用帶狀線組，全部使用20AWG線路。具備1個ATX24P、1個EPS 8P、1個EPS 4+4P、4個PCIE 6+2P、8個直角SATA、2個直式大4P，未提供小4P接頭或轉接線
◆直接在外殼上沖壓風扇護網
◆電路板背面配置防蟲蓋板，靠近出風口處的防蟲蓋板向上垂直彎曲，堵住出風口到電路板背面的縫隙
◆橋式整流、APFC/一次側功率元件接腳配置防蟲絕緣護套，不過功率元件接腳護套較短，仍有一小部分接腳外露
◆未設置電源總開關，交流輸入插座後方加上Y電容的焊點處未包覆套管。交流電源線、磁芯、保險絲、突波吸收器有包覆套管
◆電路板背面焊點做工良好，大電流路徑有敷錫
◆採用APFC、半橋諧振、同步整流輸出12V，並透過DC-DC轉換3.3V/5V/-12V
◆APFC/一次側MOSFET使用Infineon，APFC二極體使用TOSHIBA，12V同步整流MOSFET使用Nexperia，3.3V/5V DC-DC MOSFET使用onsemi，-12V DC-DC使用TI。APFC及一次側所有功率元件均採用全絕緣封裝
◆內部所有電解電容使用TK(Toshin Kogyo東信工業)，固態電容使用Elite/APAQ/SAMXON
◆二次側電源管理IC可偵測輸出電壓及電流是否在正常範圍
各項測試結果簡單總結：
◆accuwitt Grand Rigid GT 750GD 750W於20%/50%/100%下效率分別為93.13%/92.49%/88.61%，符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
◆accuwitt Grand Rigid GT 750GD 750W的功率因數修正，滿足80PLUS金牌認證要求輸出50%下功率因數需大於0.9
◆偏載測試，12V維持空載，測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化，均未超出±5%範圍
◆電源啟動至綜合全負載輸出狀態，12V上升時間為12ms，3.3V/5V上升時間為5ms。12V於14ms開始出現數次電壓波動
◆綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷，12V接近截止前出現數次電壓波動，於10ms第一次波動降至11.34V，於12ms第二次波動中降至11.38V
◆輸出無負載時12V有鋸齒狀漣波；輸出12V/1A至12V/3A時漣波頻率與振幅增大；輸出12V/4A時漣波波形改變；輸出12V/9A時漣波波形振幅最小；於綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為59.2mV/19.6mV/23.6mV；於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為55.6mV/18mV/14.8mV
◆12V動態負載測試，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度為480mV
◆12V動態負載測試，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度為588mV
◆12V動態負載測試，變動範圍10A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度為926mV
◆熱機下3.3V過電流截止點在28A(140%)，5V過電流截止點在27A(135%)，12V過電流截止點在73A(118%)
報告完畢，謝謝收看
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