特色:
80PLUS金牌認證轉換效率
全模組化設計,採用編織網包覆(ATX 20+4P/EPS 8P/EPS 4+4P/12V-26/PCIE 6+2P)及帶狀(SATA/大4P)模組化線材,線材與接頭皆為白色
提供1個EPS 8P接頭及1個EPS 4+4P接頭,支援高階Intel/AMD處理器及主機板平台
提供1個12V-26 H++插座及1條模組化線材,相容ATX 3.1,支援新款顯示卡
採用主動功率因數修正、半橋諧振及同步整流12V功率級,單路12V輸出搭配DC-DC轉換3.3V/5V,使12V可用功率最大化,並改善各輸出電壓交叉調整率
採用13.5公分FDB軸承風扇,具備Zero Fan模式,開啟後於低負載/溫度下風扇自動停止轉動,負載/溫度提高後採溫控運轉,在散熱效能與靜音中取得平衡
100% 105C全日系電容,加強可靠度及耐用度,提供10年保固(台灣代理加碼至12年保固,保內換新,停產升級,不計折舊)
輸出接頭數量:
ATX 20+4P:1個
EPS 8P:1個
EPS 4+4P:1個
12V-26:1個
PCIE 6+2P:3個
SATA:12個
大4P:4個
外盒正面有NZXT商標、外觀圖、ATX 3.1圖示、80PLUS金牌認證、10年保固圖示、C850 GOLD名稱
外盒背面有NZXT商標、C850 GOLD名稱、安裝示意圖、產品特色/規格、輸入/輸出規格表、轉換效率圖表、使用手冊下載QR碼連結
外盒上側面有C850 GOLD名稱及NZXT商標。外盒下側面有NZXT商標、C850 GOLD名稱、條碼、安規認證、產地(中國)、廠商資訊
外盒左側面有NZXT商標、C850 GOLD名稱、多國語言產品特色
外盒右側面有NZXT商標、C850 GOLD名稱、電源本體輸出插座圖、模組化線材樣式/接頭配置圖/數量
打開外盒,盒蓋內面印上多國語言"打造非凡"
包裝內容,電源本體裝在印有商標的白色不織布袋內,線材裝在印有商標的紫色尼龍收納袋內
印有商標的紫色尼龍收納袋內有線材/接頭皆為白色的編織網包覆(ATX 20+4P/EPS 8P/EPS 4+4P/12V-26/PCIE 6+2P)及帶狀(SATA/大4P)模組化線材、固定螺絲、32.08mm2(14AWG) 15A交流電源線
本體尺寸為16015086mm
本體兩側外殼有NZXT商標及C850字樣
直接在外殼上沖壓加工六角形開孔風扇護網,護網其中一邊有銀色裝飾條,上面有NZXT商標
本體背面標籤有NZXT商標、產品名稱、型號、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、安規認證、80PLUS金牌認證、警告訊息、產地(中國)、條碼、廠商資訊
本體出風口處設有交流輸入插座、電源總開關及ZERO FAN模式開關
模組化線組輸出插座有名稱標示,下方標示請勿使用其他電源供應器的模組化線材,CPU & PCI-E 8P及PERIPHERAL & SATA 6P輸出插座內的導體為金色
1條主機板電源模組化線路,提供1個ATX 20+4P接頭,線路長度60公分
2條處理器電源模組化線路,提供1個EPS 8P接頭及1個EPS 4+4P接頭,線路長度70公分
3條顯示卡電源模組化線路,提供3個PCIE 6+2P接頭,線路長度64.5公分
1條12V-26模組化線路,線路長度64.5公分,兩端接頭標示600W
12V-26接頭外殼側面有H++標示
12V-26接頭內部連接器的樣式如下圖所示
3條SATA模組化線路,提供12個直角SATA接頭,至第一個接頭線路長度50公分,接頭間線路長度14.5公分
1條大4P模組化線路,提供4個省力易拔大4P接頭,至第一個接頭線路長度50公分,接頭間線路長度14.5公分。未提供小4P接頭或轉接線
將所有模組化線路插上的樣子
12V-26模組化線路插頭連接處近照
內部結構及使用元件說明簡表
採用一次側主動功率因數修正及半橋諧振,二次側12V同步整流,並經由DC-DC轉換3.3V/5V,未提供-12V輸出
採用白色HONG HUA HA13525H12SF-Z 12V/0.5A風扇,並設置氣流導風片
主電路板背面焊點做工良好,大電流路徑有敷錫,二次側部分區域加上金屬板
交流輸入插座焊點有2個Y電容(CY1/CY2)及1個X電容。X電容本體及接腳、磁芯、總開關插片連接器、模式開關線路有包覆套管,交流輸入插座焊點、模式開關焊點、交流電源線未包覆套管
X電容(CX1)底部小電路板有X電容放電IC及電阻
主電路板上有2個共模電感(CM1/CM2)、1個X電容(CX2)及2個Y電容(CY3/CY4)。共模電感外包覆黑色聚酯薄膜膠帶,臥式安裝的保險絲及突波吸收器有包覆套管,靠近主變壓器的位置設置內含銅箔的透明隔板
2個並聯的GBJ1506橋式整流器固定在散熱片的兩個面上
固定在散熱片上的APFC功率元件採用2個VISHAY SiHF30N60E全絕緣封裝MOSFET及1個Infineon IDH08G65C6二極體。封閉磁芯APFC電感旁的NTC熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流,電源啟動後會使用繼電器將其短路,去除NTC所造成的功耗損失,繼電器旁比流器用來偵測APFC電流
APFC散熱片上安裝保護用溫度開關,封閉磁芯APFC電感與散熱片之間的比流器用來偵測APFC電流
APFC控制子卡上的Champion CM6500UNX及Sync Power SPN5003負責APFC電路控制
APFC電容採用1個Nichicon 420V 560μF GL系列105C電解電容及1個Nichicon 420V 470μF GW系列105C電解電容並聯,總容值1030μF
輔助電源電路子卡,APFC散熱片溫度開關線路連接至輔助電源電路子卡上方連接器,輔助電源電路變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶,一次側整合IC為On-Bright OB2365T,二次側同步整流為Leadtrend LD8926AA1
固定在散熱片上的一次側功率元件採用2個ST STF33N60M2全絕緣封裝MOSFET
1個諧振電感及2個上下相疊的諧振電容組成一次側諧振槽,諧振電感、一次側MOSFET的隔離驅動變壓器及偵測一次側電流的比流器外包覆黑色聚酯薄膜膠帶
主變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶,二次側繞組焊接在同步整流子卡上
同步整流子卡背面有6個Infineon BSC014N04LS MOSFET組成二次側12V同步整流電路,並在其周圍加上金屬板協助散熱
主電路板背面的Champion CU6901VAC負責12V功率級一次側諧振及二次側同步整流控制
12V輸出的2個Nippon Chemi-con固態電容、4個Nichicon固態電容、1個Nippon Chemi-con電解電容、2個電感
3.3V/5V DC-DC子卡正面有2個UBIQ QN3107M6N MOSFET、2個UBIQ QM3054M6 MOSFET、2個環狀電感、2個Nippon Chemi-con固態電容、4個Nichicon固態電容。背面有uPI uP3861P雙通道同步降壓PWM控制器
電源管理及風扇控制子卡,Weltrend WT7502R電源管理IC負責監控輸出電壓、接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號
模組化插座板背面敷錫增加載流,模組化插座板正面插座之間設置15個Nichicon固態電容、1個Nippon Chemi-con固態電容、2個Nippon Chemi-con電解電容,加強輸出濾波/退耦效果
使用標示H++的新款12V-26插座
接下來就是上機測試
測試文閱讀方式請參照此篇:電源測試文閱讀小指南
空載功耗
20%/50%/100%輸出轉換效率分別為89.58%/91.89%/90.15%,符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
10%/20%/50%/100%輸出的交流輸入波形(黃色-電壓,紅色-電流,綠色-功率)。50%輸出下功率因數為0.9909,滿足80PLUS金牌認證50%輸出下功率因數需大於0.9的要求
綜合輸出負載測試,輸出54%時3.3V/5V電流達14A以後就不再往上加,3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
綜合輸出8%至99%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為19.4mV
綜合輸出8%至99%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為26.5mV
綜合輸出8%至99%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為45mV
偏載測試,這時12V維持空載,分別測試3.3V滿載(CL1)、5V滿載(CL2)、3.3V/5V滿載(CL3)的3.3V/5V/12V電壓變化,並無出現超出5%範圍情形(3.3V:3.135V-3.465V,5V:4.75V-5.25V,12V:11.4V-12.6V)
純12V輸出負載測試,這時3.3V/5V維持空載,3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
純12V輸出6%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為15.7mV
純12V輸出6%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為14.8mV
純12V輸出6%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為41mV
12V低輸出轉換效率測試,輸出12V/1A效率72.1%,輸出12V/2A效率80.2%,輸出12V/3A效率83%
電源PS-ON信號啟動後直接3.3V/14A、5V/14A、12V/60A滿載輸出下各電壓上升時間圖,從12V開始上升處當成起點(0ms)時,12V上升時間18ms,5V上升時間6ms,3.3V上升時間6ms
3.3V/14A、5V/14A、12V/60A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖,從交流中斷處當成起點(0ms)時,12V於28ms開始下降,31ms降至11.47V(圖片中資料點標籤)
以下波形圖,CH2藍色波形為12V電壓波形,CH3紫色波形為5V電壓波形,CH4綠色波形為3.3V電壓波形
輸出無負載(上圖)及輸出12V/1A(下圖)的漣波
輸出12V/4A (上圖)及輸出12V/21A(下圖)的漣波
於3.3V/14A、5V/14A、12V/60A(綜合全負載)輸出下,12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為13.2mV/12.4mV/9.2mV,高頻漣波分別為10mV/10.4mV/8.8mV
於12V/70A(純12V全負載)輸出下,12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為12.8mV/7.2mV/4.4mV,高頻漣波分別為8.8mV/5.2mV/5.6mV
12V啟動動態負載,變動範圍5A至25A,維持時間500微秒,最大變動幅度192mV,同時造成5V產生72mV、3.3V產生94mV的變動
12V啟動動態負載,變動範圍25A至50A,維持時間500微秒,最大變動幅度308mV,同時造成5V產生102mV、3.3V產生140mV的變動
12V啟動動態負載,變動範圍10A至56A,維持時間500微秒,最大變動幅度520mV,同時造成5V產生144mV、3.3V產生196mV的變動
12V啟動動態負載,變動範圍20A至70A,維持時間500微秒,最大變動幅度512mV,同時造成5V產生158mV、3.3V產生206mV的變動
電源供應器滿載輸出下內部的紅外線熱影像圖
電源供應器滿載輸出下橋式整流(上圖)及APFC MOSFET/APFC DIODE/APFC電感(下圖)的紅外線熱影像圖
電源供應器滿載輸出下一次側MOSFET/諧振電感(上圖)及主變壓器/整流子卡(下圖)的紅外線熱影像圖
電源供應器滿載輸出下DC-DC的紅外線熱影像圖
單條EPS 8P連續輸出28A(336W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖
單條EPS 4+4P連續輸出28A(336W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖
單條PCIE 6+2P連續輸出21A(252W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖
用隨附的12V-26模組化線材連接MSI GEFORCE RTX 5090 32G SUPRIM SOC進行測試
執行FURMARK 30分鐘後的HWiNFO感測器頁面、GPU-Z Sensors頁面、FURMARK畫面
執行FURMARK 30分鐘後顯示卡端插頭(左上/右上)及電源端插頭(左下/右下)的紅外線熱影像圖
本體及內部結構心得小結:
全模組化設計,採用編織網包覆(ATX 20+4P/EPS 8P/EPS 4+4P/12V-26/PCIE 6+2P)及帶狀(SATA/大4P)模組化線材,線材與接頭皆為白色。提供1個ATX 20+4P、1個EPS 8P、1個EPS 4+4P、1個600W 12V-26、3個PCIE 6+2P、12個直角接頭SATA、4個省力易拔大4P,未提供小4P接頭或轉接線
電源端使用標示H++的12V-26插座,S4/S3接至COM,為600W定義,S2經100kΩ電阻接至+3.3V,S1經4.7kΩ電阻接至+3.3V
風扇護網直接沖壓在外殼上,風扇具備Zero Fan模式,開啟後於低負載/低溫下風扇停止運轉,待負載/溫度提高後才會啟動並採溫控運轉。關閉後風扇採常時溫控運轉
X電容本體及接腳、總開關插片連接器、磁芯、模式開關線路、主電路板保險絲、突波吸收器有包覆套管,交流電源線、交流輸入插座及模式開關焊點未包覆套管
主電路板背面焊點整體做工良好,大電流路徑有敷錫,二次側部分區域加上金屬板
採用一次側主動功率因數修正及半橋諧振、二次側同步整流輸出單路12V,搭配DC-DC轉換3.3V/5V,未提供-12V輸出
APFC MOSFET採用VISHAY,APFC二極體及二次側12V同步整流MOSFET採用Infineon,一次側MOSFET採用ST,3.3V/5V DC-DC MOSFET採用UBIQ。APFC及一次側MOSFET採用全絕緣封裝
APFC電容使用Nichicon,其他固態/電解電容使用Nippon Chemi-con/Nichicon/Rubycon
二次側電源管理IC可偵測輸出電壓是否在正常範圍
各項測試結果簡單總結:
20%/50%/100%輸出轉換效率分別為89.58%/91.89%/90.15%,符合80PLUS金牌認證要求
功率因數修正,符合80PLUS金牌認證要求
偏載測試,12V維持空載,測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化,均未超出5%範圍
電源啟動至綜合全負載輸出狀態,12V上升時間18ms,5V上升時間6ms,3.3V上升時間6ms
綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷,12V於28ms開始下降,31ms降至11.47V
綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為13.2mV/12.4mV/9.2mV,於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為12.8mV/7.2mV/4.4mV
12V動態負載測試,變動範圍5A至25A,維持時間500微秒,最大變動幅度192mV
12V動態負載測試,變動範圍25A至50A,維持時間500微秒,最大變動幅度308mV
12V動態負載測試,變動範圍10A至56A,維持時間500微秒,最大變動幅度520mV
12V動態負載測試,變動範圍20A至70A,維持時間500微秒,最大變動幅度512mV
熱機下3.3V過電流截止點29A(132%),5V過電流截止點30A(136%),12V過電流截止點89A(126%)
報告完畢,謝謝收看
