特色:
●通過80PLUS金牌認證,降低廢熱產生,節省電能消耗及電費支出
●14公分短機身,全模組化設計,搭配黑色帶狀模組化線組
●提供2個EPS 4+4P接頭,支援Intel/AMD處理器及主機板平台
●單路12V輸出,半橋諧振轉換,搭配12V同步整流及3.3V/5V DC-DC轉換設計,使12V可用功率最大化,改善各輸出電壓交叉調整率
●內部12公分溫控散熱風扇具備風扇停轉功能,於低負荷下風扇將停止轉動,在散熱效能與靜音中取得平衡
●採用日系主電容

GIGABYTE GP-UD850GM 850W輸出接頭數量:
ATX20+4P:1個
EPS 4+4P:2個
PCIE 6+2P:4個
SATA:8個
大4P:3個
小4P:1個

▼外盒正面有商標、80PLUS金牌認證、產品名稱/輸出功率、特色圖示、產品外觀圖

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▼外盒背面有商標、80PLUS金牌認證、產品名稱/輸出功率、特色說明、轉換效率圖表、風扇噪音VS負載圖表、接頭數量/圖片/模組化線材長度配置圖、輸入/輸出規格表、產品規格表

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▼外盒上側面有80PLUS金牌認證、商標、產品名稱/輸出功率。外盒下側面有多國語言產品特色、警告訊息、廠商資訊、產地、安規認證、加州65號法案警告訊息、連結QR碼、條碼

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▼外盒右側面有商標、80PLUS金牌認證、產品名稱/輸出功率、產品外觀圖

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▼外盒左側面有商標、產品外觀圖、80PLUS金牌認證、產品名稱/輸出功率

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▼包裝內容有模組化線組、電源本體、交流電源線、多國語言說明文件、固定螺絲

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▼本體尺寸為150x86x140mm

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▼本體兩側印上產品名稱、幾何線條裝飾、商標

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▼風扇護網直接沖壓在外殼上,護網外圍有造型凹槽裝飾,中心處有八角形商標銘牌

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▼本體背面的標籤有商標、80PLUS金牌認證、產品名稱、型號、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、安規認證、中英文警告訊息、廠商資訊、產地

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▼本體出風口處設有交流輸入插座及電源總開關

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▼模組化線組輸出插座有白色字體名稱標示,下方英文黃色字體標籤提醒使用者安裝原廠線材

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▼一組主機板電源黑色帶狀模組化線路,提供1個ATX20+4P接頭,18AWG線路長度為61公分

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▼兩組處理器電源黑色帶狀模組化線路,提供2個EPS 4+4P接頭,18AWG線路長度為60公分

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▼兩組顯示卡電源黑色帶狀模組化線路,提供4個PCIE 6+2P接頭,至第一個接頭18AWG線路長度為59公分,接頭間18AWG線路長度為15公分

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▼兩組SATA黑色帶狀模組化線路,提供6個直角SATA接頭及2個直式SATA接頭,至第一個接頭18AWG線路長度為59公分,接頭間18AWG線路長度為14公分

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▼一組大4P/小4P接頭黑色帶狀模組化線路,提供3個直角大4P接頭及1個小4P接頭,至第一個接頭18AWG線路長度為50公分,大4P接頭間18AWG線路長度為11公分,末端小4P接頭的18AWG線路長度為14公分

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▼將所有模組化線路插上的樣子,會多出1個CPU/PCI-E模組化插座未使用

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▼GIGABYTE GP-UD850GM 850W內部結構及使用元件說明簡表

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▼GIGABYTE GP-UD850GM 850W為科司特CASTEC/MEIC代工,採用APFC、半橋諧振、二次側12V同步整流,並經由DC-DC轉換3.3V/5V

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▼採用Yate Loon D12SH-12 12公分12V/0.3A風扇,有設置氣流導風片

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▼電路板背面焊點做工良好,大電流路徑有敷錫

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▼移除主電路板後,可以看到二次側位置(紅色箭頭)有加上灰色導熱墊,下方黑色絕緣墊片有開孔使導熱墊可以直接接觸金屬外殼

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▼交流輸入插座及總開關後方加上小電路板,上面有2個Y電容(CY1/CY2)、1個X電容(CX1)及X電容放電IC(PN8200),電路板背面未覆蓋絕緣隔板,磁芯與L/N電源線有包覆套管

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▼主電路板交流輸入端臥式安裝的保險絲有包覆套管,突波吸收器未包覆套管

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▼主電路板EMI濾波電路有2個共模電感(CM1/CM2),2個Y電容(CY3/CY4)藏在1個X電容(CX2)下方,EMI濾波電路與諧振電感/諧振電容/主變壓器之間有加上隔板。2顆並聯的GBU1506橋式整流器固定在左邊散熱片的兩側

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▼APFC散熱片上有2顆無錫新潔能NCE65TF099 MOSFET及1顆CREE/Wolfspeed C3D08060A二極體

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▼主電路板背面的Champion CM6500UNX負責APFC電路控制

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▼APFC電容採用Nippon Chemi-con 400V 820µF KMW系列105℃電解電容

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▼APFC電容旁包覆套管的NTC熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流,在電源啟動後會使用繼電器將其短路,去除NTC所造成的功耗損失

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▼輔助電源電路一次側整合電源IC為PR8109T,輔助電源電路變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶

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▼一次側散熱片上有2顆無錫新潔能NCE65TF099 MOSFET

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▼1個諧振電感與1個諧振電容組成一次側諧振槽,一次側MOSFET隔離驅動變壓器及比流器包覆黑色聚酯薄膜膠帶

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▼主變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶,右側兩塊金屬散熱片底部透過灰色導熱墊片接觸12V同步整流MOSFET

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▼主電路板背面的Champion CM6901X負責控制一次側諧振轉換器及二次側12V同步整流MOSFET

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▼12V同步整流MOSFET金屬散熱片周圍有12V輸出濾波電路用TEAPO固態電容、TEAPO/Lelon電解電容及電感

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▼主電路板背面的Weltrend WT7502R電源管理IC,負責監控輸出電壓、接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號

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▼3.3V及5V DC-DC子卡採分開配置,每片子卡正面有方形磁芯電感及固態電容,每片背面有1顆Nexperia PSMN3R5-30YL MOSFET及1顆Alpha & Omega AON6354 MOSFET,由uPI uP9303B進行控制。模組化輸出插座板背面及兩片DC-DC子卡之間未設置絕緣隔板

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▼模組化輸出插座板的插座之間配置TEAPO固態電容及Lelon電解電容,加強輸出濾波/退耦效果

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接下來就是上機測試

測試文閱讀方式請參照此篇:電源測試文閱讀小指南
▼GIGABYTE GP-UD850GM 850W於20%/50%/100%下效率分別為90.8%/92.11%/89.74%,符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
從電源本體及線組插頭處測試的電壓差異,會對效率產生0.05%至0.44%的影響

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▼GIGABYTE GP-UD850GM 850W於10%/20%/50%/100%的交流輸入波形(黃色-電壓,紅色-電流,綠色-功率)。50%輸出下功率因數為0.9808,符合80PLUS金牌認證要求50%輸出下功率因數需大於0.9的要求

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▼綜合輸出負載測試,輸出53%時3.3V/5V電流達13A以後就不再往上加,3.3V/5V/12V電壓記錄如下表

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▼綜合輸出8%至101%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為5.6mV

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▼綜合輸出8%至101%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為19.3mV

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▼綜合輸出8%至101%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為26mV

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▼偏載測試,這時12V維持空載,分別測試3.3V滿載(CL1)、5V滿載(CL2)、3.3V/5V滿載(CL3)的3.3V/5V/12V電壓變化,並無出現超出±5%範圍情形(3.3V:3.135V-3.465V,5V:4.75V-5.25V,12V:11.4V-12.6V)

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▼純12V輸出負載測試,這時3.3V/5V維持空載,3.3V/5V/12V電壓記錄如下表

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▼純12V輸出6%至99%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為5.3mV

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▼純12V輸出6%至99%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為2.4mV

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▼純12V輸出6%至99%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為23mV

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▼12V低輸出轉換效率測試,輸出12V/1A效率61.3%,輸出12V/2A效率73.9%,輸出12V/3A效率79.1%

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▼電源PS-ON信號啟動後直接3.3V/13A、5V/13A、12V/62A滿載輸出下各電壓上升時間圖,從12V開始上升處當成起點(0.000s)時,12V上升時間為22ms,5V與3.3V上升時間為8ms

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▼3.3V/13A、5V/13A、12V/62A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖,從交流中斷處當成起點(0.000s)時,12V於23ms後低於11.4V(圖片中資料點標籤)

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以下波形圖,CH1黃色波形為動態負載電流變化波形,CH2藍色波形為12V電壓波形,CH3紫色波形為5V電壓波形,CH4綠色波形為3.3V電壓波形
▼輸出無負載時無明顯漣波

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▼輸出12V/21A時開始出現漣波(上圖)。輸出12V/22A時漣波波形改變,之後波形維持不變,只改變振幅(下圖)

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▼於3.3V/13A、5V/13A、12V/62A(綜合全負載)輸出下,12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為20.8mV/28.8mV/27.2mV,高頻漣波分別為13.2mV/18mV/15.6mV

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▼於12V/70A(純12V全負載)輸出下,12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為20.8mV/10.4mV/10.8mV,高頻漣波分別為12.4mV/11.2mV/10.4mV

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▼12V啟動動態負載,變動範圍5A至25A,維持時間500微秒,最大變動幅度為374mV,同時造成3.3V產生58mV、5V產生58mV的變動

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▼12V啟動動態負載,變動範圍25A至50A,維持時間500微秒,最大變動幅度為424mV,同時造成3.3V產生66mV、5V產生68mV的變動

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▼12V啟動動態負載,變動範圍10A至56A,維持時間500微秒,最大變動幅度為804mV,同時造成3.3V產生118mV、5V產生110mV的變動

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▼電源供應器滿載輸出下內部(上圖)及背面外殼(下圖)的紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)

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▼電源供應器滿載輸出下橋式整流/APFC電感(上圖)及APFC MOSFET/APFC DIODE(下圖)的紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)

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▼電源供應器滿載輸出下一次側MOSFET/諧振電感(上圖)及主變壓器/主變壓器繞組/二次側(下圖)的紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)

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▼電源供應器滿載輸出下DC-DC的紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)

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▼單條EPS 4+4P連續輸出28A(336W)10分鐘後的模組化接頭紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)

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▼單條PCIE 6+2P連續輸出21A(252W)10分鐘後的模組化接頭紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)

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本體及內部結構心得小結:
◆採用全模組化設計,搭配黑色帶狀模組化線組。具備1個ATX20+4P、2個EPS 4+4P、4個PCIE 6+2P、6個直角SATA、2個直式SATA、3個直角大4P、1個小4P,全部使用18AWG線路
◆直接在外殼上沖壓風扇護網,低負荷風扇停轉功能固定開啟
◆交流輸入插座及總開關後方加上小電路板,上面有2個Y電容、1個X電容及X電容放電IC,背面未覆蓋絕緣隔板。主電路板上保險絲有包覆套管,突波吸收器未包覆套管
◆電路板背面焊點做工良好,大電流路徑有敷錫
◆採用APFC、半橋諧振、同步整流輸出12V,並透過DC-DC轉換3.3V/5V
◆APFC及一次側MOSFET使用無錫新潔能,APFC DIODE使用CREE/Wolfspeed,3.3V/5V DC-DC MOSFET使用Alpha & Omega及Nexperia
◆內部APFC電容使用Nippon Chemi-con,其他固態/電解電容使用TEAPO/Lelon
◆二次側電源管理IC可偵測輸出電壓是否在正常範圍

各項測試結果簡單總結:
◆GIGABYTE GP-UD850GM 850W於20%/50%/100%下效率分別為90.8%/92.11%/89.74%,符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
◆GIGABYTE GP-UD850GM 850W的功率因數修正,滿足80PLUS金牌認證要求輸出50%下功率因數需大於0.9
◆偏載測試,12V維持空載,測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化,均未超出±5%範圍
◆電源啟動至綜合全負載輸出狀態,12V上升時間為22ms,3.3V/5V上升時間為8ms
◆綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷,12V於23ms後低於11.4V
◆輸出無負載時無明顯漣波;輸出12V/21A時開始出現漣波;輸出12V/22A及以上漣波波形不變只改變振幅;於綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為20.8mV/28.8mV/27.2mV;於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為20.8mV/10.4mV/10.8mV
◆12V動態負載測試,變動範圍5A至25A,維持時間500微秒,最大變動幅度為374mV
◆12V動態負載測試,變動範圍25A至50A,維持時間500微秒,最大變動幅度為424mV
◆12V動態負載測試,變動範圍10A至56A,維持時間500微秒,最大變動幅度為804mV
◆熱機下3.3V過電流截止點在25A(125%),5V過電流截止點在27A(135%),12V過功率截止點在94A(133%)

報告完畢,謝謝收看

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