XPG CORE REACTOR 650W特色：
1.通過80PLUS金牌認證
2.支援Intel/AMD最新處理器/主機板平台，高12V輸出電流提供最佳系統相容性
3.全105℃日系電容，保證連續24小時/7天系統運作
4.140mm短機身設計
5.全模組化設計，讓電腦組件安裝及維護更輕鬆，減少線路凌亂
6.採用12公分FDB液態軸承風扇，搭配智慧風扇控制電路，兼顧靜音與散熱效能
7.提供十年產品保固
XPG CORE REACTOR 650W輸出接頭數量：
ATX24P：1個
CPU12V 8P：1個
CPU12V 4+4P：1個
PCIE 6+2P：4個
SATA：12個
大4P：4個(接上大4P線組時只能使用8個SATA接頭)
外盒正面，有80PLUS金牌、10年保固圖示、XPG標誌、產品外觀、產品名稱、輸出功率
外盒背面，有產品外觀、規格表、外型尺寸圖、風扇轉速曲線圖、模組化線組長度/接頭數量配置圖
外盒上下側面，有XPG標誌、產品名稱、產品外觀、QR碼連結、製造商資訊、產地、條碼、80PLUS金牌、10年保固圖示、安規認證標章、英文特色說明、輸出功率
外盒左右側面，有XPG標誌、產品名稱、產品外觀、80PLUS金牌、10年保固圖示、輸出功率
使用說明書及XPG裝飾用貼紙
印有商標的黑色尼龍袋，收納模組化線材、電源線及固定螺絲
電源本體外殼採用霧面黑色烤漆處理
本體外殼左右側面有XPG標誌、CORE REACTOR裝飾貼紙，外殼有造型凹槽
直條狀黑色風扇護網由內部安裝，護網中央有XPG標誌銘牌
後方散熱出風口處有交流輸入插座、電源總開關
模組化線組輸出插座有白色字樣標示
規格標籤上面印上商標、名稱、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、警告訊息、產地、製造商資訊、安規/BSMI認證標章、80PLUS金牌認證
從收納包內取出所有模組化線材、電源線及固定螺絲
一組ATX24P黑色編織網包覆模組化線路，長度為64公分
一組CPU12V 8P/4+4P黑色編織網模組化線路，至8P接頭長度為64公分，8P接頭至4+4P接頭長度為15公分
兩組顯示卡黑色編織網模組化線路，提供四個PCIE 6+2P接頭，至第一個接頭長度為64公分，接頭間線路長度為15公分
三組SATA裝置帶狀模組化線路，每條提供四個直角SATA接頭，至第一個接頭長度為49公分，接頭間線路長度為14公分
一組大4P裝置帶狀模組化線路，提供四個省力易拔大4P接頭，至第一個接頭長度為49公分，接頭間線路長度為14公分
將所有模組化線路插上的樣子，會多出一個CPU&VGA用模組化線組插座，另外SATA/Molex用模組化線組插座只有三個，若接上大4P線組，就只能接上兩組SATA線組，此時SATA可用接頭為8個
XPG CORE REACTOR 650W內部結構及使用元件說明簡表
XPG CORE REACTOR 650W由CWT代工，採用高效率電源常見的半橋諧振(HB-LLC)結構，二次側12V同步整流，經DC-DC轉換3.3V/5V
使用的風扇為Hong Hua HA1225H12F-Z 12公分12V/0.58A FDB軸承二線式風扇，並設置氣流導風片
電路板背面，焊點整體做工良好，部分大電流線路有額外敷錫處理
交流輸入插座後方焊點有一個X電容，兩個Y電容，插座L/N焊點處未包覆套管
套著絕緣套管的X電容底部有MPS HF81放電用IC
主電路板上EMI濾波電路與其他元件之間有一內襯銅片的絕緣隔板，另設有兩個共模電感，一個X電容，兩個Y電容，直立安裝保險絲/突波吸收器/共模電感外有包覆絕緣套管
一顆橋式整流器安裝散熱片上
APFC電感採用封閉式磁芯結構
APFC功率元件使用兩顆Infineon IPA60R190P6全絕緣封裝Power MOSFET及一顆CREE C3D06060A Z-Rec SiC Schottky Diode
APFC控制電路子卡，一次側APFC控制核心為Champion CM6500UNX，並使用SP5003來改善空載/輕載功耗
輔助電源電路的一次側元件裝在子卡上，上面有OB5282CP PWM控制IC及UTC 4N65L POWER MOSFET，子卡下方輔助電源電路變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶
APFC電容採用Nippon Chemi-con 420V 470µF KMQ系列105℃電解電容
APFC電容旁的NTC熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流，在電源啟動後會使用繼電器將其短路，去除NTC所造成的功耗損失
一次側半橋諧振(HB-LLC)功率級使用兩顆Infineon IPA60R190P6全絕緣封裝Power MOSFET
一個諧振電感與兩個上下相疊的諧振電容組成一次側LLC諧振槽，諧振電容下方為一次側電流偵測用比流器，比流器右側為一次側MOSFET隔離驅動變壓器
12V功率級主變壓器，外部包覆黑色聚酯薄膜膠帶，二次側繞組直接焊接到12V同步整流子卡，縮短傳輸路徑
12V同步整流子卡，採用四顆Infineon IRFH7004PbF MOSFET來組成全波同步整流電路，子卡本身也充當散熱片使用，風扇溫控電路及熱敏電阻安裝在子卡右側區域
同步整流子卡旁有12V功率級一次側HB-LLC以及二次側同步整流控制電路子卡，其核心為Champion CU6901VAC
12V輸出濾波電路採用Nichicon電解電容及同廠牌FP系列固態電容
輸出3.3V/5V的DC-DC子卡，上方有環形電感、Nichicon FP系列/Nippon Chemi-con PSG系列固態電容
DC-DC子卡背面，DC-DC的控制核心為Anpec APW7159C雙通道同步降壓PWM控制器，3.3V及5V的功率級均採用一顆uPI SEMI QM3054M6搭配一顆uPI SEMI QN3107M6N MOSFET，共配置兩組
模組化輸出插座板正面有增強載流用實心金屬條，插座之間安置Nichicon FP系列/Nippon Chemi-con PSG系列固態電容，加強輸出濾波效果
模組化輸出插座板背面敷錫增加載流能力，並未覆蓋絕緣片
背面有設置一顆uPI SEMI QM3006D MOSFET，用來切換5VSB供應來源
主電路板背面的IN1S313I-SAG電源管理IC，負責監控輸出電壓、接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號
接下來就是上機測試
測試文閱讀方式請參照此篇：電源測試文閱讀小指南
http://wolflsi.pixnet.net/blog/post/67908465
依照80PLUS認證測試電流設定，XPG CORE REACTOR 650W於20%/50%/100%下效率分別為90.33%/92.01%/89.3%，符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
從電源本體及線組插頭處測試的電壓差異，會對效率產生0.04%至0.37%左右的影響
3.3V/5V/12V綜合輸出下各段轉換效率表，於輸出65%時3.3V/5V達到電源供應器標示最大總和功率限制，所以3.3V/5V電流達13A以後就不再往上加
綜合輸出各百分比下轉換效率折線圖(橫軸：輸出百分比、縱軸：轉換效率)
綜合輸出5%至99%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為35.2mV
綜合輸出5%至99%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為26.6mV
綜合輸出5%至99%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為117mV
綜合效率測試結束時於輸出99%下電源供應器內部紅外線熱影像圖，溫度由高而低排列分別是橋式整流80.1℃，二次側76.5℃，APFC區76.5℃，主變壓器74.4℃，一次側60℃，3.3V/5V DC-DC區52.9℃
純12V輸出下各段轉換效率表，這時僅對12V進行負載測試，3.3V/5V維持空載
純12V輸出各百分比下轉換效率折線圖(橫軸：輸出百分比、縱軸：轉換效率)
純12V輸出4%至101%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為29.5mV
純12V輸出4%至101%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為29.2mV
純12V輸出4%至101%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為123mV
純12V效率測試結束時於輸出101%下電源供應器內部紅外線熱影像圖，溫度由高而低排列分別是橋式整流81.5℃，APFC區76.6℃，二次側73.7℃，主變壓器73.6℃，一次側58.6℃，3.3V/5V DC-DC區36.5℃
純12V效率測試結束時於輸出101%下電源供應器模組化輸出插座紅外線熱影像圖，溫度較高點為35.4℃
綜合輸出3.3V/13A、5V/13A、12V/44A滿載輸出下Hold-up time時序圖，從交流中斷處當成起點(0.000s)時，於20ms(0.02s)時開始壓降，於24ms(0.024s)時各輸出電壓開始呈現雪崩式下跌，符合Intel制定Hold-up time需高於16ms的要求
CH1黃色波型為動態負載電流變化波型，CH2藍色波形為12V電壓波型，CH3紫色波型為5V電壓波型，CH4綠色波型為3.3V電壓波型
輸出無負載時，功率級為避免輸出超壓，採空載/輕載模式運作，12V漣波如下圖呈現鋸齒狀
12V輸出1A/2A/3A/4A的漣波波形如下圖所示
當12V輸出5A時，幾乎沒有漣波
當12V輸出超過5A繼續往上增加時，功率級進入正常模式，12V漣波波形也會跟著改變
於3.3V/13A、5V/13A、12V/44A靜態負載輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為14.4mV/15.6mV/18mV，高頻漣波分別為11.6mV/16.4mV/18mV
於12V/54A靜態負載輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為14mV/8.8mV/16.4mV，高頻漣波分別為10.8mV/8.4mV/16mV
3.3V啟動動態負載，最大變動幅度296mV，同時造成5V產生114mV、12V產生58mV的變動，3.3V電壓變動高峰處維持時間在200微秒左右
5V啟動動態負載，最大變動幅度為204mV，同時造成3.3V產生78mV、12V產生64mV的變動，5V電壓變動高峰處維持時間在250微秒左右
12V啟動動態負載，最大變動幅度為420mV，同時造成3.3V產生52mV、5V產生56mV的變動
本體及內部結構心得小結：
1.全模組化設計，搭配編織網包覆及帶狀線材，大4P採省力易拔設計，未提供小4P電源接頭或轉接線
2.外殼厚度較薄，直條狀風扇護網由內部固定
3.交流輸入插座後方元件焊點未包覆絕緣套管
4.EMI電路區及周邊元件之間設有內襯銅片的絕緣隔板
5.主電路板背面焊點整體做工良好，一次側Power MOSFET使用全絕緣封裝，避免灰塵/濕氣累積而發生漏電情形
6.採用虹冠方案APFC、HB-LLC、同步整流輸出12V，並透過DC-DC轉換出3.3V/5V
7.內部12V功率級功率元件採用Infineon/CREE產品，DC-DC功率元件採用uPI SEMI產品
8.固態與電解電容採用Nichicon/Nippon Chemi-con等日系品牌
9.具備5VSB供電切換，可降低電源運作中輔助電源電路的消耗
10.電源管理IC僅監測輸出電壓
各項測試結果簡單總結：
1.依照80PLUS認證測試電流設定，XPG CORE REACTOR 650W於20%/50%/100%下效率分別為90.33%/92.01%/89.3%，符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
2.從內部紅外線熱影像圖來看，無論是綜合輸出還是純12V輸出，橋式整流器都有最高的溫度，另外APFC、主變壓器、二次側等區域也有明顯溫度
3.全負載輸出時，切斷AC輸入(模擬電力中斷)，20ms時12V輸出開始小幅壓降，24ms時各輸出電壓才呈現雪崩式下跌，符合Intel制定Hold-up time至少16ms的要求
4.空載下為了避免12V輸出超壓，功率級電路採空載/輕載模式運作，因此12V出現鋸齒狀漣波，於12V/5A輸出下幾乎沒有漣波，之後開始進入正常模式，12V漣波波形也跟著改變
5.輸出漣波測試，電源供應器於於3.3V/13A、5V/13A、12V/44A靜態負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為14.4mV/15.6mV/18mV；於12V/54A靜態負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為14mV/8.8mV/16.4mV
6.動態負載測試，12V有比較大的變動幅度420mV，3.3V/5V的變動幅度分別為296mV/204mV，3.3V/5V電壓變動高峰處維持時間分別在200/250微秒左右
報告完畢，謝謝收看
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