XPG CORE REACTOR 650W特色:
1.通過80PLUS金牌認證
2.支援Intel/AMD最新處理器/主機板平台,高12V輸出電流提供最佳系統相容性
3.全105℃日系電容,保證連續24小時/7天系統運作
4.140mm短機身設計
5.全模組化設計,讓電腦組件安裝及維護更輕鬆,減少線路凌亂
6.採用12公分FDB液態軸承風扇,搭配智慧風扇控制電路,兼顧靜音與散熱效能
7.提供十年產品保固

XPG CORE REACTOR 650W輸出接頭數量:
ATX24P:1個
CPU12V 8P:1個
CPU12V 4+4P:1個
PCIE 6+2P:4個
SATA:12個
大4P:4個(接上大4P線組時只能使用8個SATA接頭)

外盒正面,有80PLUS金牌、10年保固圖示、XPG標誌、產品外觀、產品名稱、輸出功率

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外盒背面,有產品外觀、規格表、外型尺寸圖、風扇轉速曲線圖、模組化線組長度/接頭數量配置圖

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外盒上下側面,有XPG標誌、產品名稱、產品外觀、QR碼連結、製造商資訊、產地、條碼、80PLUS金牌、10年保固圖示、安規認證標章、英文特色說明、輸出功率

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外盒左右側面,有XPG標誌、產品名稱、產品外觀、80PLUS金牌、10年保固圖示、輸出功率

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使用說明書及XPG裝飾用貼紙

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印有商標的黑色尼龍袋,收納模組化線材、電源線及固定螺絲

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電源本體外殼採用霧面黑色烤漆處理

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本體外殼左右側面有XPG標誌、CORE REACTOR裝飾貼紙,外殼有造型凹槽

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直條狀黑色風扇護網由內部安裝,護網中央有XPG標誌銘牌

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後方散熱出風口處有交流輸入插座、電源總開關

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模組化線組輸出插座有白色字樣標示

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規格標籤上面印上商標、名稱、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、警告訊息、產地、製造商資訊、安規/BSMI認證標章、80PLUS金牌認證

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從收納包內取出所有模組化線材、電源線及固定螺絲

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一組ATX24P黑色編織網包覆模組化線路,長度為64公分
一組CPU12V 8P/4+4P黑色編織網模組化線路,至8P接頭長度為64公分,8P接頭至4+4P接頭長度為15公分

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兩組顯示卡黑色編織網模組化線路,提供四個PCIE 6+2P接頭,至第一個接頭長度為64公分,接頭間線路長度為15公分

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三組SATA裝置帶狀模組化線路,每條提供四個直角SATA接頭,至第一個接頭長度為49公分,接頭間線路長度為14公分

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一組大4P裝置帶狀模組化線路,提供四個省力易拔大4P接頭,至第一個接頭長度為49公分,接頭間線路長度為14公分

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將所有模組化線路插上的樣子,會多出一個CPU&VGA用模組化線組插座,另外SATA/Molex用模組化線組插座只有三個,若接上大4P線組,就只能接上兩組SATA線組,此時SATA可用接頭為8個

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XPG CORE REACTOR 650W內部結構及使用元件說明簡表

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XPG CORE REACTOR 650W由CWT代工,採用高效率電源常見的半橋諧振(HB-LLC)結構,二次側12V同步整流,經DC-DC轉換3.3V/5V

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使用的風扇為Hong Hua HA1225H12F-Z 12公分12V/0.58A FDB軸承二線式風扇,並設置氣流導風片

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電路板背面,焊點整體做工良好,部分大電流線路有額外敷錫處理

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交流輸入插座後方焊點有一個X電容,兩個Y電容,插座L/N焊點處未包覆套管

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套著絕緣套管的X電容底部有MPS HF81放電用IC

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主電路板上EMI濾波電路與其他元件之間有一內襯銅片的絕緣隔板,另設有兩個共模電感,一個X電容,兩個Y電容,直立安裝保險絲/突波吸收器/共模電感外有包覆絕緣套管

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一顆橋式整流器安裝散熱片上

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APFC電感採用封閉式磁芯結構

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APFC功率元件使用兩顆Infineon IPA60R190P6全絕緣封裝Power MOSFET及一顆CREE C3D06060A Z-Rec SiC Schottky Diode

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APFC控制電路子卡,一次側APFC控制核心為Champion CM6500UNX,並使用SP5003來改善空載/輕載功耗

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輔助電源電路的一次側元件裝在子卡上,上面有OB5282CP PWM控制IC及UTC 4N65L POWER MOSFET,子卡下方輔助電源電路變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶

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APFC電容採用Nippon Chemi-con 420V 470µF KMQ系列105℃電解電容
APFC電容旁的NTC熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流,在電源啟動後會使用繼電器將其短路,去除NTC所造成的功耗損失

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一次側半橋諧振(HB-LLC)功率級使用兩顆Infineon IPA60R190P6全絕緣封裝Power MOSFET

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一個諧振電感與兩個上下相疊的諧振電容組成一次側LLC諧振槽,諧振電容下方為一次側電流偵測用比流器,比流器右側為一次側MOSFET隔離驅動變壓器

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12V功率級主變壓器,外部包覆黑色聚酯薄膜膠帶,二次側繞組直接焊接到12V同步整流子卡,縮短傳輸路徑

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12V同步整流子卡,採用四顆Infineon IRFH7004PbF MOSFET來組成全波同步整流電路,子卡本身也充當散熱片使用,風扇溫控電路及熱敏電阻安裝在子卡右側區域

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同步整流子卡旁有12V功率級一次側HB-LLC以及二次側同步整流控制電路子卡,其核心為Champion CU6901VAC

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12V輸出濾波電路採用Nichicon電解電容及同廠牌FP系列固態電容

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輸出3.3V/5V的DC-DC子卡,上方有環形電感、Nichicon FP系列/Nippon Chemi-con PSG系列固態電容

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DC-DC子卡背面,DC-DC的控制核心為Anpec APW7159C雙通道同步降壓PWM控制器,3.3V及5V的功率級均採用一顆uPI SEMI QM3054M6搭配一顆uPI SEMI QN3107M6N MOSFET,共配置兩組

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模組化輸出插座板正面有增強載流用實心金屬條,插座之間安置Nichicon FP系列/Nippon Chemi-con PSG系列固態電容,加強輸出濾波效果

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模組化輸出插座板背面敷錫增加載流能力,並未覆蓋絕緣片
背面有設置一顆uPI SEMI QM3006D MOSFET,用來切換5VSB供應來源

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主電路板背面的IN1S313I-SAG電源管理IC,負責監控輸出電壓、接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號

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接下來就是上機測試

測試文閱讀方式請參照此篇:電源測試文閱讀小指南
http://wolflsi.pixnet.net/blog/post/67908465

依照80PLUS認證測試電流設定,XPG CORE REACTOR 650W於20%/50%/100%下效率分別為90.33%/92.01%/89.3%,符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
從電源本體及線組插頭處測試的電壓差異,會對效率產生0.04%至0.37%左右的影響

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3.3V/5V/12V綜合輸出下各段轉換效率表,於輸出65%時3.3V/5V達到電源供應器標示最大總和功率限制,所以3.3V/5V電流達13A以後就不再往上加

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綜合輸出各百分比下轉換效率折線圖(橫軸:輸出百分比、縱軸:轉換效率)

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綜合輸出5%至99%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為35.2mV

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綜合輸出5%至99%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為26.6mV

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綜合輸出5%至99%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為117mV

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綜合效率測試結束時於輸出99%下電源供應器內部紅外線熱影像圖,溫度由高而低排列分別是橋式整流80.1℃,二次側76.5℃,APFC區76.5℃,主變壓器74.4℃,一次側60℃,3.3V/5V DC-DC區52.9℃

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純12V輸出下各段轉換效率表,這時僅對12V進行負載測試,3.3V/5V維持空載

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純12V輸出各百分比下轉換效率折線圖(橫軸:輸出百分比、縱軸:轉換效率)

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純12V輸出4%至101%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為29.5mV

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純12V輸出4%至101%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為29.2mV

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純12V輸出4%至101%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為123mV

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純12V效率測試結束時於輸出101%下電源供應器內部紅外線熱影像圖,溫度由高而低排列分別是橋式整流81.5℃,APFC區76.6℃,二次側73.7℃,主變壓器73.6℃,一次側58.6℃,3.3V/5V DC-DC區36.5℃

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純12V效率測試結束時於輸出101%下電源供應器模組化輸出插座紅外線熱影像圖,溫度較高點為35.4℃

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綜合輸出3.3V/13A、5V/13A、12V/44A滿載輸出下Hold-up time時序圖,從交流中斷處當成起點(0.000s)時,於20ms(0.02s)時開始壓降,於24ms(0.024s)時各輸出電壓開始呈現雪崩式下跌,符合Intel制定Hold-up time需高於16ms的要求

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CH1黃色波型為動態負載電流變化波型,CH2藍色波形為12V電壓波型,CH3紫色波型為5V電壓波型,CH4綠色波型為3.3V電壓波型

輸出無負載時,功率級為避免輸出超壓,採空載/輕載模式運作,12V漣波如下圖呈現鋸齒狀

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12V輸出1A/2A/3A/4A的漣波波形如下圖所示

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當12V輸出5A時,幾乎沒有漣波

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當12V輸出超過5A繼續往上增加時,功率級進入正常模式,12V漣波波形也會跟著改變

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於3.3V/13A、5V/13A、12V/44A靜態負載輸出下,12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為14.4mV/15.6mV/18mV,高頻漣波分別為11.6mV/16.4mV/18mV

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於12V/54A靜態負載輸出下,12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為14mV/8.8mV/16.4mV,高頻漣波分別為10.8mV/8.4mV/16mV

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3.3V啟動動態負載,最大變動幅度296mV,同時造成5V產生114mV、12V產生58mV的變動,3.3V電壓變動高峰處維持時間在200微秒左右

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5V啟動動態負載,最大變動幅度為204mV,同時造成3.3V產生78mV、12V產生64mV的變動,5V電壓變動高峰處維持時間在250微秒左右

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12V啟動動態負載,最大變動幅度為420mV,同時造成3.3V產生52mV、5V產生56mV的變動

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本體及內部結構心得小結:
1.全模組化設計,搭配編織網包覆及帶狀線材,大4P採省力易拔設計,未提供小4P電源接頭或轉接線
2.外殼厚度較薄,直條狀風扇護網由內部固定
3.交流輸入插座後方元件焊點未包覆絕緣套管
4.EMI電路區及周邊元件之間設有內襯銅片的絕緣隔板
5.主電路板背面焊點整體做工良好,一次側Power MOSFET使用全絕緣封裝,避免灰塵/濕氣累積而發生漏電情形
6.採用虹冠方案APFC、HB-LLC、同步整流輸出12V,並透過DC-DC轉換出3.3V/5V
7.內部12V功率級功率元件採用Infineon/CREE產品,DC-DC功率元件採用uPI SEMI產品
8.固態與電解電容採用Nichicon/Nippon Chemi-con等日系品牌
9.具備5VSB供電切換,可降低電源運作中輔助電源電路的消耗
10.電源管理IC僅監測輸出電壓

各項測試結果簡單總結:
1.依照80PLUS認證測試電流設定,XPG CORE REACTOR 650W於20%/50%/100%下效率分別為90.33%/92.01%/89.3%,符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
2.從內部紅外線熱影像圖來看,無論是綜合輸出還是純12V輸出,橋式整流器都有最高的溫度,另外APFC、主變壓器、二次側等區域也有明顯溫度
3.全負載輸出時,切斷AC輸入(模擬電力中斷),20ms時12V輸出開始小幅壓降,24ms時各輸出電壓才呈現雪崩式下跌,符合Intel制定Hold-up time至少16ms的要求
4.空載下為了避免12V輸出超壓,功率級電路採空載/輕載模式運作,因此12V出現鋸齒狀漣波,於12V/5A輸出下幾乎沒有漣波,之後開始進入正常模式,12V漣波波形也跟著改變
5.輸出漣波測試,電源供應器於於3.3V/13A、5V/13A、12V/44A靜態負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為14.4mV/15.6mV/18mV;於12V/54A靜態負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為14mV/8.8mV/16.4mV
6.動態負載測試,12V有比較大的變動幅度420mV,3.3V/5V的變動幅度分別為296mV/204mV,3.3V/5V電壓變動高峰處維持時間分別在200/250微秒左右

報告完畢,謝謝收看

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